sio2的介电常数和电场的关系

二氧化硅介电常数

二氧化硅的介电常数是：1.56。

二氧化硅是一种无机物，化学式为SiO2，硅原子和氧原子长程有序排列形成晶态二氧化硅，短程有序或长程无序排列形成非晶态二氧化硅。二氧化硅晶体中，硅原子位于正四面体的中心，四个氧原子位于正四面体的四个顶角上，许多个这样的四面体又通过顶角的氧原子相连，每个氧原子为两个四面体共有，即每个氧原子与两个硅原子相结合。

禁带宽度SiO2:8.9eV, Si3N4:5.1eV。

介电常数SiO2:3.9, Si3N4:7.0

传统工艺一般采用SiO2做阻挡层，但当其厚度减小时，漏电流增大，并出现杂质扩散现象，影响器件性能。

在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.

补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用SiO2，一切应以实验数据为准。

介电常数又叫介质常数,介电系数或电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数,以字母ε表示,单位为法/米 . 它是一个在电的位移和电场强度之间存在的比例常量.这一个常量在自由的空间（一个真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）.在其它的材料中,介电系数可能差别很大,经常远大于真空中的数值,其符号是eo. 在工程应用中,介电系数时常在以相对介电系数的形式被表达,而不是绝对值.如果eo表现自由空间（是,8.85×10的-12次方F/m）的介电系数,而且e是在材料中的介电系数,则这个材料的相对介电系数（也叫介电常数）由下式给出：ε1＝ε / εo＝ε×1.13×10的11次方 很多不同的物质的介电常数超过1.这些物质通常被称为绝缘体材料,或是绝缘体.普遍使用的绝缘体包括玻璃,纸,云母,各种不同的陶瓷,聚乙烯和特定的金属氧化物.绝缘体被用于交流电.泡沫塑料用聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚氨基甲酸酯等树脂制成 聚苯乙烯2.2.6 ,介电常数有相对介电常数和有效介电常数之分,平时我们说的介电常数就是相对介电常数,硅的相对介电常数是11.9 .（AC）,声音电波（AF）和无线电电波（射频）的电容器和输电线路. 一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍.

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