砷化镓芯片静电等级标准

砷化镓芯片静电等级标准是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件--体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件（Static Sensitive Device简称SSD）。由于科技时代的需要，小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐压性，显然是行不通的，因此在器件的集成度越来越高的趋势下，通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少，器件的耐压也随之降低。半导体器件，特别是IC，根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样，弱至100V的静电也会造成破坏，具体数据见表l。 表l各种半导体器受静电破坏的水平 元件的种类 遭受破坏的电压范围（V） 元器件典型范例 VMOS器件 30~1800IRF640、SPP11N60S5、BSN304 MOS场效应器件 100~200 TDA4605、TDA16846 坤化镓场效应器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16 结型场效应器件 140~7000 K30A 表面滤波器150~500A号板的CF6264 运算放大器190~2500 V号板LM3580 CMOS器件 250~3000 S、V号板AT27C010（L） 肖特基二极管300~2500 高清上网板1N5817 薄膜电阻 300~3000 双极型晶体管 380~7000 C1815、A1015 可控硅680~1000V号板SFORIB4

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