载流子的运动形式有哪两种?它们有什么不同?

半导体内的载流子运动有三种，不是两种：载流子的扩散运动，载流子的热运动和载流子的漂移运动。（1）热运动：在没有任何电场作用时，一定温度下半导体中的自由电子和空穴因热激发所产生的运动是杂乱无障的，好像空气中气体的分子热运动一样。由于是无规则的随机运动，合成后载流子不产生定向位移，从而也不会形成电流。（2）漂移运动：在半导体的两端外加一电场E，载流子将会在电场力的作用下产生定向运动。电子载流子逆电场方向运动，而空穴载流子顺着电场方向运动。从而形成了电子电流和空穴电流，它们的电流方向相同。所以，载流子在电场力作用下的定向运动称为漂移运动，而漂移运动产生的电流称漂移电流。（3）扩散运动：在半导体中，载流子会因浓度梯度产生扩散。如在一块半导体中，一边是N型半导体，另一边是P型半导体，则N型半导体一边的电子浓度高，而P型半导体一边的电子浓度低。反之，空穴载流子是P型半导体一边高，而N型半导体一边低。由于存在载流子浓度梯度而产生的载流子运动称为扩散运动。

载流子的输运半导体中自由载流子的任何运动都导致电流。这些运动可以由外加电压产生的电场引起，因为载流子是带电粒子。我们称这种输运机制为载流子的漂移。另外，载流子从浓度高的地方流向浓度低的地方。这种载流子的输运机制是由热能和与之相关联的载流子随即的热运动引起的。我们称之为载流子的扩散。总电流为漂移电流和扩散电流的总和。在外加电场的作用下，载流子做加速运动，并且由于与电离杂质碰撞和晶格振动散射最终达到一个恒定的速度v。速度和电场的比值称为迁移率。在高电场作用下速度达到饱和速度。另外，载流子在流过半导体表面时发生附加的散射，由于半导体表面或界面的散射机制使迁移率降低。载流子的扩散是通过形成载流子的浓度梯度产生的。浓度梯度可以通过变化的参杂浓度或者温度梯度形成。由于受相同的微粒和散射机制影响，两种输运机制是相关的。这种恒定的迁移率和扩散系数之间的关系成为爱因斯坦关系。

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