聚焦离子束技术(FIB)注意事项:
1、样品大小5×5×1cm,当样品过大需切割取样。
2、样品需导电,不导电样品必须能喷金增加导电性。
3、切割深度必须小于10微米。
电镜制备制样离子束研磨系统要属徕卡家比较好。当材料样品表面为SEM或入射光显微镜做好准备时,样品通常经过多次处理,直到被分析的层或表面被精密加工好。徕卡显微系统固态技术的工作流程解决方案涵盖了样品制备所需的所有步骤。
当徕卡EM TXP将预先准备的所有步骤都整合在一台仪器时,徕卡EM TIC 3X 对几乎任何材料进行最终的高质量表面处理。与徕卡EM VCT对接配置后,在适宜的环境中样本就北转移到(cryo)SEM中。
同时,徕卡显微系统所提供的产品完全匹配用户在TEM、SEM和AFM研究对中精确样品制备的所有需求。每一个徕卡解决方案都由几个设备组成,它们相互良好地结合在一起,为客户的样品形成无缝的制样工作流程。
吉姆西半导体科技好。吉姆西半导体科技有限公司成立于2014年,共有4个制造工厂,是目前国内大的半导体再制造设备和研磨液供应系统的本土企业,员工每月平均工资在9千左右,还包括五险一金节和假日福利,以及住房补贴和高温补贴,是很不错的。随着我国经济的高速发展,半导体行业的发展也在迅速崛起,因此在半导体工业加工的过程中不可避免的会产生含有氟离子,铜离子,磷废水的污染物废水。
含氟离子废水处理:
将废水的p H值调整在6-7左右,再加入的过量的Ca
Cl2和适量的絮凝剂,后续会行形成沉淀,部分污泥循环成为载体,在沉淀池中通过重力沉降能够实现泥水分离。
第一次反应时能够去除80%的氟,再一次加入絮凝剂,氟化钙及其其他形态沉淀,利用污泥泵输送到污泥沉淀池,用板框式脱水机压成泥饼外运,这时候产生的压滤液进入其他的系统进一步处理。
含磷离子废水处理:
含磷废水中磷主要以PO43-为主,采用的方法为化学沉淀法和混凝剂沉降法的组合工艺,通过加入Ca
Cl2生成难溶于水的Ca5(PO4)3OH沉淀。
一级反应池的p H调整到5-6左右,二级反应池p H调整到8.5-9,三级反应池p
H调整到9-9.5(确保完全生成羟基磷酸钙),此工艺流程比较简单,费用也比较低,对于含磷废水处理有很大的适用性。
与研磨废水进行混合:
将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合,混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤,过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤,经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。
以上是小编整理的半导体工业废水的处理方法都有哪些,后期将会关于更多污水处理的相关内容。
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