什么是半导体的阱区

半导体一般可分为本征半导体，N型半导体以及P型半导体分别代表无杂质掺杂，掺杂N型杂质（P,As）和掺杂P型杂质（B,Ga）.如果在N型衬底上扩散P型区，就叫做P阱区；如果在P型衬底上扩散N型区，就叫做N阱区；

半导体中阱的作用，半导体中阱就叫做P阱区；如果在P型衬底上扩散N型区，就叫做N阱区；n阱工艺:N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅晶圆片作为衬底,在衬底上做出N阱,用于制作PMOS晶体管，用激光朝量子阱闪一下，可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为 1um，注入区域与阱相同，随后通过大幅降低注入能量及剂量，控制注入深度和掺杂剖面。阱的注入掺杂不仅可以调节晶体管的阈值电压，也可以解决CMOS 电路常见的一些问题，如闩锁效应和其他可靠性问题。

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