晶界层半导体电容器 为什么要涂覆低熔点扩散

晶界层电容器grain lx}undary la}cr c:aparitc}rfL'LC由平导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为1!l'-一1C15}'cm或史低，品粒发较好，尺、}一约2U一lUU}ern或更大，Ilfl粒一与晶粒之间为极薄的层，厚度仅为l一分之几微米到数微木。

制品具有介电常[1] 数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在电压和低限抗晶体管等线路，卜显示出非常优良的性能主要有铁酸钡系和钦酸惚系两类。工艺特点为施:E掺杂半导化，空气中次烧成或施卞掺杂高温中性〔氮气)或通氢还原烧成后，再经徐覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即一次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子汁算机、汽车和电子电路中

半纳米晶体指纳米尺寸上的晶体材料，或具有晶体结构的纳米颗粒。纳米晶体具有很重要的研究价值。纳米晶体的电学和热力学性质显现出很强的尺寸依赖性，从而可以通过细致的制造过程来控制这些性质。纳米晶体能够提供单体的晶体结构，通过研究这些单体的晶体结构可以提供信息来解释相似材料的宏观样品的行为，而不用考虑复杂的晶界和其他晶体缺陷。尺寸小于10纳米的半导体纳米晶体通常被称为量子点。

纳米晶体制作的光电池具有便宜高效的特点

氧化锌压敏电阻是以氧化锌为主体，掺杂多种金属氧化物，采用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元器件。氧化锌压敏电阻具有对称的伏安特性曲线，流过MOV的电流随MOV两端电压的增大呈指数规律增大。在实际应用过程中时，氧化锌MOV一般并联在电路中，当电路正常工作时，它处于高阻状态，不影响电路正常工作。当电路出现异常瞬时过电压 并达到其导通电压（压敏电压）时，MOV迅速由高阻状态变为低阻状态，泄放由异常瞬时过电压导致的瞬时过电流，同时把异常瞬态过压钳制在一个安全水平之内，从而保护后级电路免遭异常瞬时过电压的损坏。

氧化锌压敏电阻具有较高的瞬时脉冲吸收能力，电容量较大，一般应用于AC 交流输入端防雷保护。由于压敏电阻的浪涌吸收能力取决于它的物理尺寸，为此可通过制造不同大小的MOV而获得不同的瞬态浪涌电流值。

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