闪存UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”,性能上有什么区别?

闪存UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”,性能上有什么区别?,第1张

要弄清楚闪UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”,性能上有哪些区别?首先我们需要明白的是:什么是UFS?UFS(英文名:Universal

Flash Storage

中文名称:通用闪存存储)是一种设计用于数字相机、智能电话等电子产品使用的闪存存储规范。

它的设计目标是发展一套统一的快闪存储卡格式,在提供高数据传输速度和稳定性的同时,也可以减少消费者对于市面上各种存储卡格式的混淆和不同存储卡转接器的使用。UFS被视作eMMC和SD卡的取代者,它获得了包括诺基亚、索尼移动通信、德州仪器、意法半导体、三星、美光、SK海力士等的支持。

UFS基于小型电脑系统接口(SCSI)结构模型,使用MIPI联盟开发的M-PHY物理层,拥有2.9Gbps~5.8Gbps每线程的速度。UFS实现了一个全双工的LVDS串口,较8个平行线程的eMMC而言拥有更宽的带宽。

它相较eMMC最大的不同是并行信号改为了更加先进的串行信号,从而可以迅速提升高频率,同时半双工改为全双工。UFS的历史进程2011年,JEDEC固态技术协会(JEDEC)研发了UFS

1.0标准,2012年6月发表了V1.1,2013年9月,发表了UFS2.0标准。2016年3月推出了2.1版本,2018年1月推出了3.0版本,2020年推出了3.1版本。

UFS3.1和UFS3.0的区别从理论最大带宽来说,两者其实都是23.2Gbps的理论最大带宽,并没有什么变化,这也为一度的被网友误解为“体验不明显”的理论依据。UFS3.1和UFS3.0的区别主要体现在2个层面,第一个层面就是不同品牌、不同品质颗粒之间的规格差异,在同样UFS2.1传输模式下都会造成速度有区别,它才是木桶的这块短板。

闪存实际读写速率远低于外部接口速率,我们早在UFS2.1时代就见识过了,在UFS3.0以及UFS3.1上同样是如此的。另一个层面,则是UFS3.1所引入的新技术造成了新能差异。

新发布的UFS3.1新增了四项新特性,包括三项是强制和一项非强制。这三项中第一个是Write

Boost,原理类似SSD的虚拟SLC技术,在这种技术下可以先将TLC虚拟成SLC,也就是在8bit存储空间里只写入2bit数据,这样原本使用8中电压写入变成了只使用2种电压,避免频繁调压造成写入延迟增大,闪存的写入速度也就提升了,之后可以再利用其它空闲时间整理数据,这样一来用户就根本察觉不到。

另外两项则是对硬件起到保护作用的技术,DeepSleep可以让设备进入新升级了的低功耗状态,确保手机在闲置时能更省电。绝大多数时候手机都是闲置的,所以引入这项技术之后可能会让用户感知更直观一些。第三项技术Performance

Throttling

Notification,它可以在闪存温度过高时通知系统限制读写性能给硬件降温,说通俗一些就是手机闪存终于有了温控了。

Host

Performance

Booster(HPB)属于非强制性的技术,Realme王伟刚在网上给我们做了简单的科普。当我们存储一个文件的时候,这个文件在逻辑上是完整的,但写入到闪存芯片里却分成了无数块,放在了无数个位置。所以需要一个“逻辑到物理映射表”,也就是L2P

Map将他们联系起来按图索骥。

手机数据存储是逐步趋于碎片化的,随着手机使用的越久,L2P

Map也会变得越来越大,检索也变得越来越困难,而一般放在主控缓存甚至放在闪存里被调用,这样速度很慢,这是手机越来越慢的原因之一。HPB技术就是把L2P

Map读取到内存里,让手机的读取大大提速。

而转移到内存后,即时使用了很久,也不会因为L2P

Map变复杂导致读取性能明显下降。这项技术最早由三星开发,已经是几年前的旧技术了。三星本意借助该技术用内存取代SSD的缓存,这样可以降低SSD成本,谁知如今被用来给手机提速。

不过这不是新技术而且非强制,甚至可以和UFS3.1完全无关,有没有HPB就完全取决于手机产商了。所以,UFS3.1相较与UFS3.0到底提升了什么?这是一个不能给出标准答案的问题,不管基于那种态度都能找到支持的理由,但对于使用体验的影响确实有限。它也就仅仅成为了UFS3.1,而不是UFS4.0.至少以现阶段来说,手机读写性能还是取决于使用什么品质的闪存,而不是采用什么接口的标准。

富士康印度半导体制造厂进入选址阶段

据外媒报道,印度韦丹塔(Vedanta)集团近日透露了其半导体领域投资计划的更多细节,称其与OEM巨头富士康合资在印建立半导体制造工厂的计划,预计在两年内建设完成。

印媒称韦丹塔将持有合资公司多数股权,目前,该公司正与多个地方邦进行谈判,以最终确定工厂选址,这将是印度半导体产业政策发布以来,微电子领域的第一家合资企业。

日本拟出台半导体特气保供措施

据日媒报道,日本经济产业省日前宣布,针对俄乌冲突导致的氖气等半导体特气供应问题,将在年内出台保供措施。

报道称,计划中的措施包括为建设气体分离装置和回收再利用装置提供财政支持,此前在3月底,经济产业省已经梳理出7类受俄乌冲突影响的战略物资,拟通过供应链调整和发展国内制造能力加以解决。

工信部:一季度新增5G基站13.4万个

IT之家4月19日讯,工信部新闻发言人、运行监测协调局局长罗俊杰在发布会上表示,一季度电信业务收入规模达3935亿元,同比增长9.3%,增速同比提高2.8个百分点,电信业务总量达4069亿元,同比增长23.9%。

加快推进新型基础设施建设,5G基站新增13.4万个,累计建成开通155.9万个,5G网络已覆盖全国所有地级市和县城城区、87%以上的乡镇镇区。

信骅订单已排至Q3

台湾工商时报4月19日讯,受惠亚马逊、Meta及微软等美国云端客户大厂,服务器远端管理芯片厂信骅接单动能已经满到2022年第三季。

报道称,英特尔全新服务器平台Eagle Stream有望在下半年开始量产出货,将同步带动BMC晶片需求增长。在晶圆代工产能持续满载效应下,法人预期全年产能将维持供不应求状况,全年获利挑战赚进超过五个股本,营运将再度改写新高。

长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片

IT之家4月19日消息,长江存储 科技 有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存 ——UC023。据官方介绍,这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR 等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K 视频、高帧率 游戏 等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。

华为在欧洲专利局的专利申请居首

在欧洲专利局(EPO)最近发布的《2021年专利指数报告》中,华为总共申请了3544项专利,成为2021年在欧洲申请最多专利的公司。

据BusinessKorea报道,华为在欧洲提交的新专利申请数量每年都在上升。2020年为3113个,2021年又增加了300多个。除了欧洲,华为在中国(第1位)和美国(第5位)的专利申请方面的地位也在巩固。

另据IPlytics报告,华为被评为世界上拥有最有效5G专利的公司之一,份额为15.93%。2020年,Capital on Tap全球最具创新性的 科技 公司调查连续两年将华为排在榜首。华为正因其技术实力和创新而受到认可。

英集芯今日登陆科创板

4月19日,英集芯在科创板上市,股票代码688209,股票发行价格为24.23元,募资总额10.17亿元。上市首日,英集芯开盘破发,截至今日芯闻成文,其股价下跌9.99%,报21.81元,总市值91.60亿元。

公开资料显示,英集芯成立于2014年,是一家专注于高性能、高品质数模混合芯片设计公司,主营业务为电源管理、快充协议芯片的研发和销售,提供的电源管理芯片和快充协议芯片广泛应用于移动电源、快充电源适配器、无线充电器、车载充电器、TWS 耳机充电仓等产品。

万众一芯完成1.5亿元B+轮融资

投资界4月19日消息,生物微电子领域的创业公司万众一芯宣布完成1.5亿人民币B+轮融资。本轮融资领投方为启明创投,张家港凤凰 科技 、建发新兴投资参投,老股东经纬创投、德盛基金持续跟投。融资主要用于旗下产品的技术研发、临床认证、生产制造、销售运营以及场地建设。

资料显示,万众一芯生物 科技 有限公司聚焦半导体生物芯片、微流控实验室芯片及配套仪器和分子检测试剂的研发、制造以及销售。目前形成的主流产品包括小型基因测序仪、便携式核酸检测仪和配套试剂卡等。


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