mos管驼峰效应

tft的应用、当栅极金属跨越多晶硅岛控制TFT沟道时，同时在多晶硅岛的边缘也形成等效寄生晶体管结构，称为边缘薄膜晶体管。漏极电流可分解为主要TFT电流和边缘TFT电流：Id=Id(main)+Id(edge)。通常边缘TFT占总体电流比例不高了，可忽略不计，但如果多晶硅岛边缘氧化层覆盖性不佳造成氧化层较薄的话，边缘TFT特性明显，其他因素如器件尺寸、多晶硅厚度、Taper角度、辐射辐照等因素都会增加边缘TFT电流的比例，导致出现mos管驼峰效应。

长方体 cuboid

正方体

圆柱体 cylinder

正六面体 regular hexahedron

六面体 hexahedron

多面体 polyhedron

长方形 rectangle

正方形 square

圆形 rotundity

锥形 taper

三角形 triangle

扇形 sector

平行四边形 parallelogram

梯形trapezia

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