全球前十名的闪存制造商是?

全球芯片制造业与中国芯片制造现状 [一]全球范围内主要存在两种服务模式:第一种是IDM(Integrated Device Manufactrue)模式，另一种是晶圆代工(Foundry)模式。 IDM 模式的特点是，企业经营范围涵盖了芯片设计、生产制造、封装测试等各环节，甚至延伸至下游终端。美国和日本半导体产业主要采用这一模式，典型的IDM大厂有:IBM 、三星、东芝、 NEC 等。晶圆代工则是专业化分工的产物。在该模式下，晶圆代工厂只专注于 IC 制造环节，不涉足设计和封测，不推出自己的产品，只为设计公司(Fabless)和 IDM (委外订单)提供代工服务，从而避免了与客户之间直接的利益冲突。 计算机和手机对半导体商务保持了最大的推动作用， MP3音乐播放器受到广大消费者的欢迎，去年闪存芯片制造商的销售收入获得戏剧性增长。去年全球半导体的销售收入为2350亿美元 2005年全球最高前十名半导体制造商依次是：英特尔公司、三星电子公司、德州仪器公司、东芝公司、意法半导体公司、瑞萨科技公司、英飞凌公司、飞利浦公司、现代半导体公司和 NEC公司。 全球半导体的销售继续向亚太地区转移，包括中国、中国台湾、韩国和新加坡在内的亚太地区的半导体销售收入去年增长了11%，在全球半导体销售中所占的比例已经达到44.5%。欧洲、中东和非洲是第二个增长速度最快的地区，同比增长了4%，北美增长了1%，日本仅增长了0.2%。 [二]中国集成电路(IC)产业市场规模达到3420亿元人民币。IC制造方面，目前中国在建的6 英寸线有8 条、5 英寸线有1 条，拟建6 英寸线有8 条。到2006 年底，国内的6 英寸生产线和5 英寸生产线将分别达到21 条和9 条，其中大部分属于外商投资企业。晶圆尺寸方面，从 2004年起200mm的产能增长率就已经比所有其它尺寸的晶圆要快(除300mm之外)。但从晶圆片数来看，一直到2005年末，中国大陆的晶圆产能仍由100mm和150mm主导。2006年，200mm的产能将超过所有其它尺寸的晶圆，真正成为市场的主流。 ---SMIC(中芯国际)、HHNEC(华虹日电)及Grace(宏力)等。8英寸圆片，0.18至0.25微米工艺批量生产水平，国外市场为主； ---全球TSMC及UMC(联电)外，尚有新加坡的Chartered(全球代工业第三，月产能力12万片)，南韩的东邦/亚南(2003年上半年，全球代工排名第四，营收1.75亿美元)，SMIC(全球第五，1.15亿美元)以及马来西亚的First Silicon，Silterra和以色列的Tower等。 ---ASMC(先进)，华润上华及宁波中伟等，他们多用6英寸圆片，0.35至0.8微米工艺，主要市场也在国外。大多是合资企业。 ---杭州士兰是中国第一家上市的民营半导体企业，采用4至6英寸圆片，0.5至2.0微米工艺技术，以国内市场为主。 ---沈阳科希-硅技半导体技术第一有限公司(Keysi-STL Semiconductor Manufacturing IstCo.Ltd in Shynyang)是浑南新区注册成立的外商独资企业。该公司由美国科希国际公司(Keysi International，Inc.)和韩国Silicon Tech Limited联合创办，主要从事微电子技术开发，集成电路芯片设计、制造、封装和测试。 科希-硅技的芯片制造一厂主要生产6英寸手机用FBAR通讯芯片和两英寸蓝白光二级管W／B LED。目前，世界上只有美国和韩国能生产FBAR，该项目的建设将使中国成为世界上第三个生产FBAR的国家。 科希-硅技沈阳芯片制造二厂将生产8英寸晶圆项目(美中日韩合作)。主要产品为LCD Module(液晶显示模块)，广泛应用于电脑和手机。 ---英特尔预计投资20亿美元的12英寸厂已经选址大连 [三]整体而言，我国半导体硅材料行业规模还很小，自给能力严重不足，生产单晶硅所需要的多晶硅90%尚需从国外进口单晶硅产量虽然呈逐年稳步上升趋势，但跟国内巨大的市场需求相比，市场缺口仍然很大。IC制造所需要的抛光片和外延片则绝大部分需要进口。我国生产的单晶硅58%是太阳能级。目前国内企业主要以生产4~6英寸硅片为主，还不能批量供应8英寸以上硅抛光片。研发实力较强的研硅股也只能少量生产8英寸陪片，12英寸抛光片处于研制阶段。多晶硅产品则仅有峨嵋半导体厂和洛阳中硅能少量供应，还远不能满足国内需求。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。

本文核心数据：第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模

行业概况

1、定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。

2、产业链剖析：产业链涉及多个环节

第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用，包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下：

第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。

行业发展历程：兴起的时间较短

中国第三代半导体兴起的时间较短，2013年，科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。

2016年，为第三代半导体发展元年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。

2018年1月，中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月，三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年9月，第三代半导体写入“十四五”规划，行业被推向风口。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元，较2019年同比增长69.5%。

其中，SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元，同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模接近50亿元

2017-2020年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长，2020年，SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元，同比增长90%。

2020年，我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元，SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。

目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场，占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。

2020年，我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元，同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。

行业竞争格局

1、区域竞争格局：江苏省第三代半导体代表性企业分布最多

当前，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。

从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多，同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。

从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。

2、企业竞争格局：主流企业加速扩张布局

经过初期的发展，第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用，市场规模增长迅速。同时，行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求，抢占市场地位，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局，扩充第三代半导体的产能。其中，代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。

行业发展前景及趋势预测

1、2025年行业规模有望超过500亿元

第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计到2021-2025年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。

2、国产化进程将加速

未来，在市场竞争趋势方面，我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。

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