荷兰。
阿斯麦(ASML Holding N.V.)是在荷兰费尔德霍芬的半导体设备制造商。公司同时在欧洲和美国NASDAQ上市。有从业员工28,000多名。
阿斯麦公司的主要产品是用于生产大规模集成电路的核心设备光刻机。在世界同类产品中有90%的市占率,在14纳米制程以下有100%的市占率。
总部位于荷兰埃因霍芬(Eindhoven),欧洲人均科研经费排名第二的高科技公司。
ASML在欧洲、亚洲及美国的50多个地区拥有9245名员工,其中固定员工7184,男女比例为9:1。
据Bloomberg数据,2018年全球五大半导体设备制造商分别为应用材料(AMAT)、阿斯麦(ASML)、东京威力科创(TEL)、科林研发(Lam Research)、科磊(KLA)。
现在市场上提供量产商用的光刻机厂商依照排名,首位阿斯麦、第二名尼康(Nikon)、以及佳能(Canon)共三家,根据2007年的统计数据,在中高端光刻机市场,阿斯麦公司约有60%的市场占有率。
而最高端市场(immersion),阿斯麦公司目前约有90%的市场占有率,在14纳米节点以下更获取100%市占率,同业竞争对手已无力追赶。
TWINSCAN系列是目前世界上精度最高,生产效率最高,应用最为广泛的高端光刻机型。目前全球绝大多数半导体生产厂商,都向ASML采购TWINSCAN机型,例如英特尔、三星、海力士、台积电、联电、格罗方德及其它台湾十二英寸半导体厂。
除了目前致力于开发的TWINSCAN平台外,阿斯麦公司还在积极与IBM等半导体公司合作,继续研发光刻技术,用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。
历史发展
2008年,阿斯麦公司已超过日商东京威力科创成为世界第二大半导体设备商。
2010年,以销售额计算阿斯麦公司高端光刻机市占率已达到将近90%。
2011年,阿斯麦公司已超过美商应用材料公司(Applied Materials, Inc)成为世界第一大半导体设备商。
2012年7月10日英特尔斥资41亿美元收购荷兰芯片设备制造商阿斯麦公司的15%股权,另出资10亿美元,支持阿斯麦公司加快开发成本高昂的芯片制造科技。
2012年10月17日ASML Holding NV(ASML)与Cymer (CYMI)宣布签订合并协议,阿斯麦公司将以19.5亿欧元收购Cymer所有在外流通股票,收购Cymer目的在于加速开发Extreme Ultraviolet半导体蚀微影技术。
日经新闻报导,半导体(芯片)设备巨擘东京威力科创(TEL、Tokyo ElectronLimited)28日举行了中期营运计划(以下简称中计)说明会、修改了中计内容,从原先设定的“2020年度(2020年4月-2021年3月)营收要达1.5兆-1.7兆日圆”变更成“自今年度(2019年4月-2020年3月)起的5年内要达到1.5兆-2兆日圆”。日经新闻指出,美国对华为的制裁举措、很有可能将导致华为智能手机销售减速,而使用于智能手机的半导体需求减少的话、也将冲击到东京威力科创所生产的半导体制造设备的订单。
半导体业界普遍预期,“需求有望在2019年中期~后半期间回复”,不过摩根大通证券(JPMorgan Securities)分析师森山久史已将半导体市场的回复时间从原先预估的2019年10月变更至2020年1月,且若华为问题长期化、回复时间恐进一步往后推延。
根据Yahoo Finance的资料显示,截至台北时间29日上午11点36分为止,东京威力科创重挫2.70%至14,605日圆。
根据东京威力科创4月26日公布的财报资料显示,今年度合并营收预估将年减13.9%至1.1兆日圆、其中半导体制造设备营收预估将年减11.7%至1.03兆日圆。
以今年度营收1.1兆日圆推算,东京威力科创原先设定的2020年度营收要达1.5兆-2兆日圆的目标几乎很难实现(想实现该目标、2020年度营收年增幅需达4-8成)。
路透社5月24日报导,Fubon Research and Strategy Analytics指出,美国政府若不解除禁令的话,2019年华为智能手机出货量可能将年减4-24%。
Strategy Analytics智能手机策略主管Linda Sui指出,2020年华为智能手机出货量恐年减23%,“若失去谷歌的授权,华为智能手机有可能会在2020年从欧美市场消失”。
日经新闻5月22日报导,南韩有进投资证券常务李承禹指出,2019年三星、华为的攻守立场恐逆转,“预估2019年华为智能手机出货量恐较2018年减少约5千万支、其中半数(约2,500万支)将被三星夺走。
姓 名:李欢迎 学 号:20181214053 学 院:广研院原文链接:https://xueqiu.com/7332265621/133496263
【 嵌牛导读 】 : 半导体的应用领域很广,在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,可以说是现代科技的骨架。半导体应用的关键领域便是集成电路。集成电路发明起源于美国,后来在日本加速发展壮大,到目前在韩国台湾分化发展。本文旨在介绍日本半导体的发家史,体会上世纪美日之间在半导体产业争霸上的血雨腥风,同时从中寻找一些我国科技产业的发展经验。
【 嵌牛鼻子 】 : 日本半导体产业
【 嵌牛提问 】 : 日本半导体产业是如何在美国技术封锁的牢笼中走向世界?
【 嵌牛内容 】
在集成电路行业,全球范围内的每一次技术升级都伴随模式创新,谁认清了技术、投资和模式间的关系,谁才能掌握新一轮发展主导权,在全球竞争中占据更为有利的地位,超大规模集成电路(VLSI)计划便是例证。日本的集成电路产业发展较早,在20世纪60年代便已经有了研究基础,发展至今经历了从小到大、从弱到强、转型演变的历史,其中从1976年3月开始实施的超大规模集成电路计划是一个里程碑。
日本集成电路的起点
在超大规模集成电路计划实施前,日本的集成电路行业已经有了一定的基础。作为冷战时期美国抵御苏联影响的桥头堡,日本的集成电路发展得到了美国的支持。1963年,日本电气公司便获得了仙童半导体公司的平面技术授权,而日本政府则要求日本电气将其技术与日本其他厂商分享。以此为起点,日本电气、三菱、夏普、京都电气都进入了集成电路行业。在日本早期的集成电路发展中,与美国同期以军用市场为主不同的是,日本在引进技术后侧重于民用市场。究其原因,第二次世界大战后,日本的军事建设受限,在美苏航天争霸的过程中日本的半导体技术只能用于民间市场。正是如此,日本走出了一条以民用市场需求为导向的集成电路发展之路,并在20世纪70年代和80年代一度赶超美国。
日本政府为集成电路的发展制定了一系列的政策措施,例如1957年制定的《电子工业振兴临时措施法》、1971年制定的《特定电子工业及特定机械工业振兴临时措施法》和1978年制定的《特定机械情报产业振兴临时措施法》,加上民用市场的保护使日本的集成电路具备了一定的基础。
20世纪70年代,在美国施压下,日本被迫开放其半导体和集成电路市场,而同期IBM正在研发高性能、微型化的计算机系统。在这样的背景下,1974年6月日本电子工业振兴协会向日本通产省提出了由政府、产业及研究机构共同开发“超大规模集成电路”的设想。此后,日本政府下定了自主研发芯片、缩小与美国差距的决心,并于1976—1979年组织了联合攻关计划,即超大规模集成电路计划,计划设国立研发机构——超大规模集成电路技术研究所。此计划由日本通产省牵头,以日立、三菱、富士通、东芝、日本电气五家公司为主体,以日本通产省的电气技术实验室、日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所为支持,其目标是集中优势人才,促进企业间相互交流和协作攻关,推动半导体和集成电路技术水平的提升,以赶超美国的集成电路技术水平。
项目实施的4年间共取得上千件专利,大幅提升了日本的集成电路技术水平,为日本企业在20世纪80年代的集成电路竞争铺平了道路,取得了预期的效果。把握世界竞争大势、研判未来发展方向,需要凝聚力量、统筹协调的专业认知作为支撑。尽管事后看,日本的超大规模集成电路计划实施效果非常理想,但是实施过程却并不顺利。根据前期测算,计划需投入3000亿日元,业界希望能够得到1500亿日元的政府资助,后来实施4年间共投入737亿日元,其中政府投入291亿日元。其间,自民党信息产业议员联盟会长桥木登美三郎多次努力,希望政府追加投入,但是未能如愿。政府投入未及预期,参与企业的士气受到了一定程度的打击。当时,参与计划的富士通公司福安一美说:“当时,大家都有一种被公司遗弃的感觉,而且并未料到竟然研制出向IBM挑战的产品。”
投入不及预期,再加上研究人员从各企业和机构间临时抽调、各行其道,一时间日本的超大规模集成电路计划开发很不顺利,不同研究室人员间互相提防、互不往来、互不沟通的现象十分普遍。 此时,垂井康夫站了出来。垂井康夫1929年出生于东京,1951年毕业于早稻田大学第一理工学院电气工学专业,1958年申请了晶体管相关的专利,是日本半导体研究的开山鼻祖,1976年超大规模集成电路技术研究会成立时被任命为联合研究所的所长。
垂井康夫在当时的日本业界颇具声望,他的领导使各成员都能信服。 垂井康夫对参与方进行积极的引导,指出参与方只有同心协力才能改变基础技术落后的局面,在基础技术开发完成后各企业再各自进行产品开发,这样才能改变在国际竞争氛围中孤军作战的困局。垂井康夫的努力,很快为研发人员所接受,各家力量得到了有效的融合,而历时4年的风雨同舟、协同努力成了日本集成电路产业发展的最好推力。除垂井康夫外,当时已从日本通产省退休的根岸正人功不可没。当时,超大规模集成电路技术研究会设理事会,日立公司社长吉ft博吉担任理事长,但是在真正的执行过程中,根岸正人发挥了很好的协调作用。
根岸正人有多年推动大型国家研究计划的经验,他对计划各参与方的能力、利益诉求都颇为了解,在计划中通过其有效的沟通化解了冲 突,为垂井康夫成功地凝聚团队做了背后的铺垫。 可以看出,在集成电路的研发攻关中,除了资金和资源投入外,团队协调和技术融合更是成功的关键。
从超大规模集成电路计划的组织架构来看,除垂井康夫领导的联合研究所外,先前成立的两个联合研究机构也参与了超大规模集成电路计划,分别是日立、三菱、富士通联合建立的计算机综合研究所,以及由日本电气和东芝联合成立的日电东芝信息系统。三个研究所分别从事超大规模集成电路、计算机和信息系统的研发,其中联合研究所负责基础及通用技术的研发,另两个研究所则负责实用化技术开发(重点为64KB及256KB内存芯片的设计及开发)。在各方的协同努力下,参与方都派遣了其最优秀的工程师。来自各地的工程师们肩并肩地在同一研究所内共同工作、共同生活、集中研 究,在微细加工技术及相关设备、硅晶圆的结晶技术、集成电路设计技术、工艺技术和测试技术上取得了突破。其中,联合研究所主要负责微细加工技术及相关设备、硅晶圆的结晶技术的攻关,其他技术的通用部分也由其负责,实用化的开发则由另两个研究所负责。
具体来看,六个研究室中,分别由不同企业负责协调:第一、第二、第三研究室主要攻关微细加工技术,分别由日立、富士通和东芝负责协调;第四研究室攻关结晶技术,由工业技术研究院电子综合研究所负责协调;第五研究室负责工艺技术,由三菱负责协调;第六研究室攻关测试、评价及产品技 术,由日本电气负责协调。微细加工技术是计划的重心,从联合研究所的研究成果来看,日本当时开发了三种电子束描绘装置、电子束描绘软件、高解析度掩膜及检查装置、硅晶圆含氧量及碳量的分析技术等。垂井康夫评估说,计划实施完毕后日本的半导体技术已和IBM并驾齐驱。在计划中,日本企业对于动态随机存储器有了深入的理解,其更高质量、更高性能的动态随机存储器芯片为日本赶超美国提供了机遇。
从1980年至1986年,日本企业的半导体市场份额由26%上升至45%,而美国企业的半导体市场份额则从61%下滑至43%。 1980年,联合研究所的研究工作已全部结束,而另两个研究所则追加资金(共约1300亿日元)作进一步的技术开发, 以1980年至1982年为第一期,1983至1986年为第二期。 这些系统化的布局为日本的半导体行业腾飞发挥了至关重要的作用。
从人员来看,计划开展期间的联合研究所研发人员数量为100人左右,计算机综合研究所的研发人员数量为400人左右,日电东芝信息系统则为370人左右。在后续投入阶段,研究人员数量减少,1985年计算机综合研究所研发人员已减至90人左右,而日电东芝信息系统则减至30人左右。尽管联合研究所研发人员相对较少,但事关各企业的未来发展基础,因此各企业都派遣一流人才参与。在此过程中,垂井康夫对各企业都十分了解,点名要求各企业派遣其看中的人才。
在实施超大规模集成电路计划及后续的资助计划后,1986年日本半导体产品已占世界市场的45%,超越美国成为全球第一半导体生产大 国。 1989年,在存储芯片领域,日本企业的市场份额已达53%,与美国该领域37%的市场份额形成了鲜明对比。 在日本企业的巅峰时期,日本电气、东芝和日立三家企业排名动态存储器领域的全球前三,其市场份额甚至超90%,与之相比,美国德州仪器和镁光科技则苦苦支撑。
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