《半导体物理学(第7版)》较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;pn结;金属和半导体的接触;半导体表面及MIS结构;半导体异质结构;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。
《半导体物理学(第7版)》可作为高等学校电子科学与技术类微电子技术、半导体器件,以及集成电路设计等专业学生的教材,也可供从事相关专业的科技人员参考。
《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。
为便于读者自学和参考,《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识;然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系:最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。
小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度,比如n型半导体,如果满足△n和△p远小于平衡电子浓度(n0)就属于小注入。 p型就是远小于平衡空穴浓度(p0)。半导体物理简介:
是固体物理学的一个分支。典型的半导体主要是由共价键结合的晶体,如硅、锗。研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础,主要研究半导体的晶体结构、晶体生长,以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础,主要研究半导体的电子状态,半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。
半导体物理学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解,而且由此而产生的各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等已得到广泛的应用。
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