求大神解两道半导体物理的计算题！

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率，求倒数就是电阻率。

少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离，这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s，迁移率μ=V/E，然后根据爱因斯坦关系，扩散系数D=μkT/q，即可求出扩散系数。

其实半导体物理的计算多为套公式，只要熟悉每个名词背后的概念，将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。

1.位于体心内的原子，按照x1计算（1/1）

2.位于六个面面内的（不包括棱上的），按照x0.5来计算（1/2）

3.位于棱上的，按照x0.25来计算（1/4）

4.位于角上的，按照x0.125来计算（1/8）

这个可以用作图法

用这个公式

在excel里做个图

with respect to the valence band energy level的意思是，根据价带和导带的能级写出费米能级

因为你计算得到的都是费米能级和导带或者禁带的差值，必须用实际的导带或者禁带的值减去或者加上这个差值才是实际的值