7nm芯片迎来突破！国产半导体逆势崛起，打破日美垄断

一直以来，半导体行业都是国内产业生产的薄弱之处，很多技术都依赖于外企。

像EUV光刻机、芯片核心制造技术以及高端光刻胶等方面，但同样我们在芯片设计、封测技术等方面也占据了世界前列的位置。

如今，随着局势的变化，华为因芯片断供产生的后续影响已经初步显现，它让国产其他相关企业认识到只有自己掌握了核心技术才能避免在这些方面受到技术上的"卡脖子"。

11月13日，根据新浪 财经 最新报道，国内光刻胶领域迎来好消息，对于国内7nm芯片制造或可迎来重大突破。消息显示，国内宁波南大光电材料有限公司已正式宣布，首条ArF光刻胶生产线已经正式投入生产，预计项目完成后年销售额达10亿元。

目前该公司已经将生产出来的ArF光刻胶样品送至客户手中进行测试，如果测试成功，那么该公司将迎来更多ArF光刻胶方面的订单。

或许有小伙伴不太了解ArF光刻胶。

光刻胶在芯片生产中起到很关键的作用，可以说它是集成电路产生制造中的核心材料，对于芯片最终呈现的质量和性能方面都有很大的影响，因而光刻胶的成功对于生产制造芯片也有很大的帮助。

目前来说，虽然国内不乏有主营光刻胶的企业，但在ArF光刻胶这样的高端种类却几乎100%依赖于外企，而ArF光刻胶在对于28nm-7nm工艺芯片的生产起到至关重要的作用，因而可以说这一次在ArF光刻胶上的突破也预示着在7nm芯片制造上迎来突破！

根据资料显示，目前高端光刻胶主要集中于美企和日企手中，所占份额达全球光刻机份额的95%，而这一次宁波南大光电材料有限公司在ArF高端光刻胶中的突破也预示着国产半导体的逆势崛起，将打破美日企业在高端光刻胶领域上的垄断。

不过，想要避免外资企业在技术上的垄断，光靠一家公司明显后劲不足，但就如今的发展趋势来说，目前国产半导体相关企业已经纷纷在各自的领域中寻找突破之路。

上海微电子、上海华虹半导体、晶瑞股份等公司在芯片生产工艺上以及光刻机上等方面寻求突破口，照这样的趋势发展，未来国产半导体行业将迎来新生！

上海新阳拟借助资本市场攻关高端光刻胶研发。

8月15日，上海新阳(300236)披露定增预案，公司拟向特定对象发行股票募集资金不超过15亿元，其中7.32亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，3.48亿元用于集成电路关键工艺材料项目，4.20亿元用于补充公司流动资金。

预案显示，以ArF光刻胶、KrF厚膜光刻胶为代表的高端光刻胶以及工艺的主要技术和专利目前都掌握在国外的企业与研究部门，这些企业几乎占据了国内外高端光刻胶市场全部份额，这种局面严重制约了我国集成电路产业的自主发展。

要攻坚高端光刻胶研发，上海新阳底气何在？据介绍，公司自成立以来，坚持自主创新，成立前10年通过自主研发掌握了面向半导体封装领域的第一代电子电镀与电子清洗技术，成立后10年通过自主研发掌握了面向芯片制造领域的第二代电子电镀与电子清洗技术，为我国芯片制造铜互连工艺填补了国产材料的空白。

“公司已将高端电子光刻技术作为公司发展的重点，研发成功后将成为公司的第三大核心技术，掌握高端光刻胶的产业化技术是公司的战略发展需要。” 上海新阳在预案中表示。

力争于2023年前实现产业化

据披露，上海新阳此次定增对象为不超过35名特定对象，股票发行数量不超过8719.47万股，发行价格不低于定价基准日前20个交易日公司股票均价的80%。

具体来看本次募投项目，募资总额（15亿元）中的7.32亿元将用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目（简称“光刻胶项目”），主要开发集成电路制造中ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的 KrF厚膜光刻胶产品，力争于2023年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，达到国际先进技术水平。

该项目投资总额预计9.33亿元，主要用于设备购置及维护、人员支出、测试化验加工费等。若项目按计划进度进行，预计KrF厚膜光刻胶2021年开始实现少量销售，2022年可实现量产，预计ArF（干式）光刻胶项目在2022年可实现少量销售，2023年开始量产，预计当年各项产品销售收入合计可达近2亿元。经公司测算，项目预计内部收益率（所得税后）为26.14%，投资回收期（所得税后）为7.47年，项目净现值为7.23亿元（假设必要收益率为12%）。

上海新阳表示， 预计光刻胶项目研发及产业化成功后，公司将掌握包括光刻胶主要原料纯化工艺、产品配方、生产工艺和应用工艺技术在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并预计将取得20个以上发明专利。

谈及本次光刻胶项目的必要性，上海新阳阐述，自2003年起，半导体产业进入了ArF（193nm）光刻时代，先进制造工艺使用量最高的半导体光刻胶也是ArF光刻胶。目前，国内90-14 nm半导体制程的高端半导体芯片制造所用的ArF光刻胶100%需要进口，其中超过90%为日本制造，ArF高端光刻胶产品在国内一直是空白。光刻胶产品有着很高的技术壁垒，到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁止输入ArF光刻胶技术。

据悉，在下游行业3D NAND的光刻技术发展中，KrF光刻技术占主要地位，所需的厚膜光刻胶市场需求量大，感光性能要求高，光刻胶图形侧壁要求笔直，抗刻蚀能力各项异性要求高，但目前该种类的光刻胶多为日韩、欧美等国家提供，代表现阶段及未来5年内处于主流地位的3D NAND制造用的厚膜光刻胶仍难觅国内光刻胶供应商踪影，市场被日本、欧美等光刻胶企业把持。

上海新阳指出，故中国想要掌握ArF和KrF厚膜等高端光刻胶技术只有自力更生、自主创新，高端光刻胶国产化替代势在必行。

部分核心技术已取得突破

据介绍，若该项目成功实施，对我国半导体材料行业来说打破了国外垄断，实现了又一关键材料的自主化。从行业上下游来说，实现了我国集成电路产业掌握核心技术的重要一环，减小发生类似2019年下半年日本限制对韩国出口三项半导体关键材料的“卡脖子”事件的可能，提高了我国整个集成电路产业的安全性。

对公司而言，实施项目是占领技术和市场高地、进一步巩固行业地位、拓展新业绩增长点的重要发展方向，具有重大战略意义。

从项目实施的可行性来看，上海新阳自2017年以来即开始筹备研发光刻胶项目，目前已为光刻胶项目专门配备了由多名海外顶尖专家和国内优秀研发人才组成的团队，并仍在持续引进高端人才。已经引进的专家均在全球知名光刻胶厂商供职20年以上，拥有开发 KrF 以及 ArF 干法等光刻胶及相关关键材料的丰富经验，还拥有光刻胶树脂及各种光引发剂的开发设计及应用经验，对光刻胶及原材料的研发体系也具有良好的基础。

除外部引进专家人才外，公司也建立了内部的人才梯队，由公司总经理方书农博士亲自担任项目负责人等。据悉，公司前期已在光刻胶项目上投入大量资金，采购了包括光刻机在内的多套光刻胶研发和检测高端设备。

上海新阳透露， 经过长期投入，目前部分核心技术已取得突破，ArF干法光刻胶和 KrF厚膜光刻胶均已形成实验室成果，样品关键参数指标已达到竞品水平，产品已经过数千次试验，得到令人满意的试验结果。目前实验室研发阶段已完成，正在进行中试及后续验证推进。

联合开发化学机械抛光液

本次募资的另一个投向是集成电路关键工艺材料项目，该项目将由公司全资子公司合肥新阳实施。通过实施本项目，公司将为芯片铜互联超高纯硫酸铜电镀液系列、芯片刻蚀超纯清洗液系列等产品合计新增年产能17000吨。

从项目经济效益来看，集成电路关键工艺材料项目总投资额预计3.5亿元，项目建设期两年，完全达产后预计年均营业收入55050.20万元，利润总额为9970.02万元，项目内部收益率（所得税后）为14.70%，投资回收期（所得税后）为8.03年。

同日，上海新阳还宣布，公司已于8月13日同上海晖研签署战略合作协议， 双方拟就化学机械抛光液（CMP Slurry）的开发、生产、销售开展合作，战略合作期限暂定为5年。

据介绍，上海晖研具有化学机械抛光液产品研发团队，具有化学机械抛光液产品研发、生产工艺技术及质量管控、客户技术服务能力等专有技术。上海新阳具有化学机械抛光液产品生产基础条件与产品销售渠道；双方达成产品研发、生产、销售与服务的合作关系。

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