稳压二极管击穿后为什么可以复原

1、电流不大且时间不长属于雪崩击穿，可以恢复。2、不可恢复的叫热击穿。3、二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

稳压管和普通二极管PN结结构稍微有些不同。一般稳压管的PN结面积较大，这样允许通过的电流也较大。由于PN结的击穿分为齐纳（齐纳是德国物理学家，半导体PN结的这种特性是齐纳先生最先发现的，故稳压二极管又称齐纳二极管）击穿和热击穿。稳压管的PN结面积较大，使用时又加有合适的限流电阻，故工作在击穿状态时流过管子的电流不是很大，这样也就不会达到管子的最大允许功率。故稳压管击穿后不会损坏。由于这种齐纳击穿是可逆击穿，当电压降低后，管子还可以恢复原态，故稳压管击穿后也不会损坏。不论是稳压管还是普通二极管，只要不加限流电阻，一旦击穿后便会有很大电流流过该管，这样使其管耗剧增，从而使管子永久性损坏，这就是热击穿，这种击穿是不可逆转的击穿。有兴趣你可以用现在常用的NPN硅三极管试试看。现在的硅管大部分都是采用平面扩散工艺制造的，它们发射结的击穿电压大部分都在5-7之间（有的会超出此范围），你加个合适的限流电阻测一下，它们稳压值一般都在5-7V。若不加限流电阻，便会造成热击穿而永久性损坏。

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物理损伤，微观上是硅晶体结构局部烧毁，所以无法恢复。

比如二极管的击穿，正常是正向导通，反向截止，一旦击穿，就失去这样的特性，特性变为电阻性的，严重的直接短路。

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