退火的目的:
1、降低硬度,改善切削加工性。
2、残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向。
3、细化晶粒,调整组回织答,组织缺陷。
4、均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
半导体退火:
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位。
将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。
同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
以上内容参考:百度百科——退火 、百度百科——退火处理
半导体氢钝化退火工艺是一种金属热处理工艺。指的是将金属缓慢加热到一定温度,保持足够时间,然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度,改善切削加工性。消除残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向。细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。准确的说,退火是一种对材料的热处理工艺,包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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