封装之后的测试不熟,有FT、SLT等,具体不详,yield map一类,以前在fab的时候,看到的是结果,具体测法不详,说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。
1,出厂必测的WAT,wafer acceptance test,主要是电性能测试,每一类晶体管的参数,电压电容电阻等,每一层金属的电阻,层间的电容等,12寸厂的晶圆抽测9颗样点,均匀分布在整个wafer上,答主熟悉的55nm技术,每一个样点上必测70~120个参数,整片wafer测完约需要10~15分钟,设备主要是安捷伦和东电的;
2,在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等,膜厚是13点,线宽是9点;
3,光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值,要配合后端芯片的再制备;
4,在测试芯片(非生产性正常检测)的时候,还会测试NBTI、TDDB、GOV等;
5,其他根据芯片特性的测试。
低温中心和高温中心的判断方法:等温线闭合,中心气温低于四周为低温中心。等压线闭合,中心气温高于四周为高温中心。等温线(isotherm),即图上温度值相同各点的连线,称之为等温线。
1799-1804年,德国地理学家洪堡在广泛考察南北美洲和亚洲内陆的基础上,揭示了自然界各种现象之间的联系,提出借助气象要素平均值可阐明气候规律性,创造了用等温线表示平均气温的制图方法。1817年绘制了世界上第一幅等温线图。
等温线平直表示影响气温的因素单一,如等温线与纬线平行,说明影响气温的因素是太阳辐射。但是在大多数情况下,由于气温影响因素的多样性,除太阳辐射外,还有洋流、地面状况、大气环流等,它们相互作用、相互影响,从而使等温线发生弯曲变形。一月份大陆上等温线向南凸,海洋上等温线向北凸
封装测试厂从来料(晶圆)开始,经过前道的晶圆表面贴膜(WTP)→晶圆背面研磨(GRD)→晶圆背面抛光(polish)→晶圆背面贴膜(W-M)→晶圆表面去膜(WDP)→晶圆烘烤(WBK)→晶圆切割(SAW)→切割后清洗(DWC)→晶圆切割后检查(PSI)→紫外线照射(U-V)→晶片粘结(DB)→银胶固化(CRG)→引线键合(WB)→引线键合后检查(PBI);在经过后道的塑封(MLD)→塑封后固化(PMC)→正印(PTP)→背印(BMK)→切筋(TRM)→电镀(SDP)→电镀后烘烤(APB)→切筋成型(T-F)→终测(FT1)→引脚检查(LSI)→最终目检(FVI)→最终质量控制(FQC)→烘烤去湿(UBK)→包装(P-K)→出货检查(OQC)→入库(W-H)等工序对芯片进行封装和测试,最终出货给客户欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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