In order to continue to develop the enterprise for a long time and smoothly, we must be well prepared to guard against risk. This paper analyzes the financial risk and prevention of small and medium-sized enterprises by taking Crystal Fang technology company as an example, and then maps the problems existing in the financial risk and prevention of SMEs. The survival of anything in the environment will be threatened by certain unsafe factors, enterprises are also included in it, it continues to grow at the same time will continue to change, but the changes in the external environment has not stopped, the larger the scale of enterprises are facing more risks, financial risk is one of the important risks faced by enterprisesKey words: financial riskoperating conditionrisk prevention
前 言我在大学期间学的是财务管理专业，在这四年的学习中解了到了许多会计、金融、国际贸易、经济法等多方面的知识和能力。通过学习我了解到企业提高资金的使用效益从而提高企业资金收益尤为重要。在持续经营中，企业的财务风险状况甚至决定这个企业的生存或死亡。要想企业长久且平稳的持续发展下去，就必须做好充足的防范风险的准备。但是通过研究发现大部分中小企业因为自身的财务意识薄弱、财务监管不力或是缺少应对经济政策、市场环境变化等因素的解决措施使自身陷入困境之中。现在已是经济全球化时代，在这个复杂多变的经济环境下，了解并完善企业财务风险及防范的情况必须落实下来，应及时发现存在的问题，尽早解决。企业中会存在的财务风险有很多种类，例如存在收益风险、投资筹资风险、资金回收风险等等。现在我们知道的导致企业发生财务风险的原因有两大原因。一是由于企业自身内部存在对风险防范的缺陷所致，另一方面是因为外部宏观经济大幅度变化，然而企业却没有及时发现所致。这些内外因素使得没有防范的企业将会陷入困境之中。所以中小企业这时需要提前制定完善的防范措施，提高应对能力，这样在面对风险到来时能够做出正确的抉择，帮助企业顺利躲避财务风险，不受风险的影响，使企业继续平稳的持续发展下去。第1章 绪论第1.1节 论文研究背景企业财务风险在很多中小企业中普遍存在，且影响着这些企业的正常经营发展，如果企业不能及时识别、防范和应对这些可怕的风险，就会使企业一步一步陷入困境最终无法脱离危险，更可怕的是有发生破产的危险。这并不是危言耸听，而是许多中小企业的真实经历。但遇到困难总归要解决，许多中小企业为了能够长期持续发展下去全面分析自身企业的特点，和时刻关注外部环境变动趋势，在变动的影响因素下努力去寻找规律。不断完善自己的财务管理制度，财务风险防范制度，内部决策制度比如投资制度，筹资制度等，根据外部环境变化规律及时调整自身内部制度，正面对抗风险[1]。
大部分的中小企业在面对日常经营发展中出现的财务问题都不能及时发现根本问题的存在，企业管理者由于对风险防范意识的淡薄不能及时部署分析发生财务风险的原因的工作，同时也没能做到制定提前预警防范等机制甚至还缺少应对措施[2]。只有小部分的企业能有完善的风险防范制度，企业管理者的财务风险防范意识程度对企业发展有重要关系，一个能够持续发展的企业也一定会有个优秀的管理者。第1.2节 研究综述1.2.1 国内研究综述杨瑞（2018年）在《企业财务风险及防范》中特别强调由于企业在发展中会提高自身的知名度，就会有同行业的竞争存在，在这种激烈的竞争中，企业要持续发展的前提才行，然而这关乎企业持续发展不可忽视的因素财务风险的防范问题就尤为突出。吴婷（2017年）在《企业并购财务风险防范研究》中突出说明有些企业为了扩大自己的规模发生并购行为，然而并购需要大量的资金作为支持，这就需要企业通过各种方法攒集资金实行并购，单独依靠企业自身累积的资金根本无法完成，需要企业选择合适的筹资对象进行筹资，帮助完成并购行为。李向升在（2016年）《企业并购的财务风险及防范措施》中说到过并购行为在现在来说是很普遍的现象，但是并购效果并不是那么尽人意。由于各种各样的面临风险原因导致并购失败。通过对这些失败的案例分析先总结得出失败的原因，再根据这些原因寻找其根本问题所在，最后提出几点防范财务风险的措施，使企业顺利度过风险。黄璐（2016年）在《浅谈小微企业财务风险及防范措施》中提到小微企业更能适应瞬息万变的市场。它在解决社会就业问题、改善民生问题、维持社会稳定等方面有重要作用。由于规模小这一特点使其财务风险与大中型企业有着明显不同。甘茜（2016年）在《中小企业财务风险及防范措施研究》中强调以前市场经济制度不是很完善情况下中小企业发展存在较大困难，但是在现在逐渐完善的市场经济体制下得到充分发展的中小企业对整个社会经济发展的历程中发挥着重大作用。
鲁峰（2015年）在《公司并购财务风险及其防范——基于百度并购91无线案例的分析》中有说到过企业会因为需要扩张资本进行并购。但中国企业并购有很多都以失败告终,重要原因之一是企业在并购时对财务风险不够重视，使企业处于风险之中。逯芳芳（2015年）在《企业并购的财务风险及防范》中说到企业并购,是指企业之间兼并收购行为,通过融资进行获取资金，其中有内源融资和外源融资两种。而且会因为成本的高低，风险的大小等因素影响融资方式。陈兰，林瑞卿（2015年）的《当前企业财务风险的原因与防范策略》主要讲到财务风险的特点，表现形式 发生原因等，分析中小企业财务风险的发生原因及对财务风险的防范范围的分析。由于笔者有多年的财务经验,并将其加入分析中，对财务风险防范提出多种有效措施。邱淑芬（2015年）在《试论中小企业财务风险的防范与控制》这一篇文章中说到了市场经济在不断地发展当中，企业之间的竞争也是特别的严重，但是经济的效益却没有得到明显的提高，每个企业中都有特别大的财务风险，这些风险对企业的继续发展有特别大的影响，因此，在这篇文章中主要是针对风险提出了相应解决的对策。武文杰（2014年）在《浅谈企业财务风险及防范对策》一文中说道，在每个企业中都多多少少的存在着财务风险，而财务风险时刻都响着企业的正常活动，因为如果企业发生财务风险的话，企业可能会出现破产甚至倒闭的现象，因此，要做好躲避财务风险的计划。徐爱梅（2013年）在《中小企业财务风险及防范分析》其中提到了我国中小企业现在面临的问题及企业财务问题，这本书中主要对风险分析及其如何防范做了详细的阐述和探讨。其中有一章提到中小企业的风险率都过高，极大的降低了企业的生存率。这本书也作为中小企业如何面对风险问题的重要参考书籍。侯晓雪（2012年）在《企业财务风险成因及防范分析》这本书详细的讲述了财务风险它贯穿于企业经营活动中的各个角落之中，但是因为受到内外部复杂多变不能控制的因素影响，企业脱离了它制定的目标路线，最终没有取得预期的理想收益，导致企业发生亏损。
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企业财务风险及防范--苏州晶方半导体科技股份有限公司为例+访谈记录
企业财务风险及防范
——苏州晶方半导体科技股份有限公司为例
摘 要
企业财务风险及其防范在企业生产经营活动中占有极其重要的地位，一个企业的存亡看似与风险关系不大，但实际上因为财务风险的危害足以使一个企业由兴盛到衰亡，这是一个持续的过程，如果有的企业对财务风险并不重视，就没有提前感知风险的到来，也没有制定相应的防范措施，最终使企业在经营过程中出现各种问题，最终有可能导致破产。但是通过研究发现大部分中小企业因为自身的财务意识薄弱、财务监管不力或是缺少应对经济政策、市场环境变化等因素的解决措施使自身陷入困境之中。
第 1 页
要想企业长久且平稳的持续发展下去，就必须做好充足的防范风险的准备。本文通过以晶方科技公司为例进行对其财务风险及防范的分析进而映射出中小企业在财务风险及防范方面存在的问题。任何事物在环境中生存都会受到某些不安全因素的威胁，企业也包含其中，它在不断成长的同时自身会发生不断的变化，然而外部环境的变化也一直没停下，规模越大的企业面临的风险越多，财务风险是企业面临的重要风险之一
关键词：财务风险 经营状况 风险防范
Enterprise Financial risk and its Prevention
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半导体什么是半导体呢？
顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，
1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，
1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。
半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。
半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。
本征半导体(intrinsic semiconductor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conduction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。
杂质半导体(extrinsic semiconductor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
编辑词条
开放分类：
技术、电子、半导体物理
参考资料：
1.Introduction to Solid State Physics - by Charles Kittle
半导体应用：
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。
中彰国际（SINOSI）是一家致力于尖端科技、开拓创新的公司。中彰国际（SINOSI）能够规模生产和大批量供应单晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉抛光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和区熔NTD磨片并且可以按照国内、外客户的要求提供非标产品。
单晶硅
单晶硅主要有直拉和区熔
区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。
各项参数可按客户要求生产。
多晶硅
区熔用多晶硅：可生产直径Φ40mm－Φ70mm。直径公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各项参数可按客户要求生产。
切磨片
切磨片可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、总厚度公差、翘曲度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。
抛光片
抛光片可生产直径范围为：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、总厚度公差、翘曲度、平整度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。
高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料，硅纯度要求99.999％。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。
单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等，处处离不开单晶硅材料；在高科技领域，航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造，单晶硅同样是必不可少的原材料。
在科学技术飞速发展的今天，利用单晶硅所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能单晶硅的利用将普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。
直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。
区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。
直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。
硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉（CZ）单晶硅和区熔（FZ）单晶硅，直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域，微电子技术的飞速发展，使人类社会进入了信息化时代，被称为硅片引起的第一次革命。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。它的用途主要包括以下几个方面。
1、制作电力电子器件
电力电子技术是实现电力管理，提高电功效率的关键技术。飞速发展的电力电子被称为“硅片引起的第二次革命”，大多数电力电子器件是用区熔单晶硅制作的。电力电子器件包括普通晶闸管(SCR)、电力晶体管GTR、GTO以及第三代新型电力电子器件——功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)等，广泛应用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程中。制作电力电子器件，是区熔单晶硅的传统市场，也是本项目产品的市场基础。
2、制作高效率太阳能光伏电池
太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能产业发展的政策，我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计，从1998—2004年，国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长的态势，年平均增长速度达到30%，预计到2010年，仍将保持至少25%的增长速度。
晶体硅是目前应用最成熟，最广泛的太阳能电池材料，占光伏产业的85%以上。美国SunPower公司最近开发出利用区熔硅制作太阳能电池技术，其产业化规模光电转换效率达到20%，为目前产业化最高水平，其综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电池（光电转换效率为15%）和多晶硅太阳能电池（光电转换效率为12%）。这项新技术将会极大地扩展区熔硅单晶的市场空间。据估计，到2010年，其总的市场规模到将达到电力电子需求规模，这是本项目新的市场机会。
3、制作射频器件和微电子机械系统（MEMS）
区熔单晶还可以用来制作部分分立器件。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，显示出巨大的应用前景。这也是区熔单晶的又一个新兴的市场机会。
4、制作各种探测器、传感器，远红外窗口
探测器、传感器是工业自动化的关键元器件，被广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域。高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。
图片参考：
http://www.sinosi.com/chinese/Products%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conductor%20Silicon.htm
http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214
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例句:
1.
This is an absolutely critical skill to have as a front-end engineer.
对一名前端工程师来说，这绝对是最重要的能力。
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