乾晶半导体是国企吗

不是。

根据企查查查询，乾晶半导体是私人企业，目前中国有多家乾晶半导体公司，不是国企。

乾晶半导体有限公司成立于2020-07-31，法定代表人为王明华，注册资本为587.8824万元人民币。

个人回答是9N可以,但要求高点.尺寸半导体我只搞过3"4"5"6"8"12"报道有14"以上即超过350mm的,不过我没拉过

半导体单晶都要求掺杂,9N和11N一般用来标识的是原生硅多晶的纯度.非要用这个标识的话,重掺可以忽略.参B拉过上限50的,掺杂在10e-9数量级,大约8N..掺P目标100(这个有点记不清了,50左右肯定拉过,8N),掺杂数量级在10e-10,大约9N......10N意味着掺B1400以上电阻率,掺P430以上电阻率(数据有可能估算错误,仅供参考),原生多晶硅12N已经很吊了.您所要求的是拉制,就是切氏法.麻烦在于石英坩埚和热场气氛带来的影响,按照我以前的选择,坩埚应该采用GE坩埚的相应类型,低碱金属的好像是2尾号,记不清了.石墨热场要纯化过且不能PN互换,还要有其他措施防污染......按我的想法,10N切氏法纯粹实验室也许可以,工业生产估计没厂家会去干----没试过.不想找虐!!!不过区熔应该会可能性高点.

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