半导体是这两年国家重点发展的行业,到底什么是半导体?
生活中所有的物体按照导电性大致可分为三类:导体、半导体、绝缘体。
这个很好理解,物体要么导电,要么不导电,要么有一点点导电,正是这种半推半就、不清不楚的物质给物理学家不同的发挥空间。
太绝对的导电和不导电的物质没什么意思,而在不同情况下导电性发生变化的东西才是有意思的。
来张图直观看看物体的导电性:
按照导电性便分为:
绝缘体: 电导率很低,约介于20-18S/cm 10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;
导 体 :电导率较高,介于104S/cm 106S/cm,如铝、银等金属。
半导体: 电导率则介于绝缘体及导体之间。
自然界中常见的元素半导体有硅、锗,据说锗基半导体比硅基半导体还要更早发现和应用,但是硅的天然优势就是便宜!自然界中常见的沙石就含有大量的硅元素,你说有多多!
即使自然界中硅砂很多,但硅砂中包含的杂质太多,缺陷也太多,不能直接拿来用,需要对它进行提炼。
怎么提炼?一个字——烧!
正如初中化学所学的,进行氧化还原反应。
①SiC + SiO2 Si(固体)+ SiO2(气体)+ CO(气体)
②Si(固体)+ 3HC SiHCl3(气体)+ H2(气体)
③SiHCl3(气体)+ H2(气体) Si(固体)+ 3HCl(气体)
经过三次高温化学反应后,我们得到了固体硅,但这时候的硅是多晶硅。
啥是多晶硅?
如同我们剥橘子的时候,里面有很多瓣橘子(多晶橘子),而且不同瓣的橘子味道不一样(晶体方向),我们要选味道最好的一瓣橘子,选出来让这瓣橘子单独长大!
怎么让一个小的单晶单独长大呢?
物理学家还是很聪明的,发明了一种长单晶的办法,叫柴可拉斯基法,可能方法就是以这名科学家名字命名的。
行业也有一种直观的称呼,叫提拉法!
因为在长单晶时就是把小的晶体往上拔!拔的时候速度有点慢,来看看这个装置:
图中的这个蓝色的圆棒就是单晶硅,在提拉的时候一边旋转一边往上拔,提拉法长出来的晶锭就是圆柱体了。
再将长好的晶锭采用机械刀片进行切割,切成一片一片的圆盘状,便成了晶圆。
有没有很眼熟?
晶圆就是这样被生产出来了。
虽然我们得到了晶圆,此时的单晶硅电化学性能还不行,不能直接用来做芯片,工程师们于是想办法改造单晶硅的电化学性能。
如何改造单晶硅呢?
先深入了解一下硅元素,在元素周期表中,硅排列在第14位,硅原子最外层有4个电子,分别与周围4个原子共用4对电子,这种共用电子对的结构称为 共价键 (covalent bonding)。每个电子对组成一个共价键。
这部分知识初中化学学过,来张图片直观看看:
左边这张图是单晶硅的晶体结构,为金刚石晶体结构。右边这张图是硅原子共用电子的情况,中间一个硅原子和四个硅兄弟共用电子。
突然有一天,有个物理学家想到一个问题,要是硅家不是和硅兄弟共用电子,把其他兄弟拉进群会怎样?
物理学家有一天把砷兄拉进了群,于是奇迹发生了:
砷兄弟最外层有5个电子,其中4个电子找到了硅家的对象,另外一个电子单着了,这个电子成了无业游民,到处流窜,由于电子带有电荷,于是改变了硅家的导电性。
此时的砷原子多提供了一个电子给硅家,因此砷原子被称为施主。
硅家的自由电子多了以后,带负电的载流子增加,硅变成n型半导体。
为啥叫N型?在英文里Negative代表负,取这个单词的第一个字母,就是N。
同样,物理学家想,既然可以拉电子多的砷元素进群,那么是否也可以拉电子少的硼原子进群?于是物理学家把硼原子拉进来试试。
由于硼原子最外层只有3个电子,比硅少一个,于是本来2对电子的共价键现在成了只有一对电子,多了一个空位,成了带正电的空穴(hole)。
此时的硅基半导体被称为p型半导体,同样P来自英文单词Positive(正极)的首字母,而硼原子则被称为受主。
正是在硅单晶中加入的原子不同,便形成了N型半导体和P型半导体。
当我们有了单晶硅,并且可以想办法将单晶硅表面氧化成二氧化硅。二氧化硅可作为许多器件结构的绝缘体,或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。
如在 p‒n 结的制造过程中,二氧化硅薄膜可用来定义结的区域。
来张示意图看看,(a)显示无覆盖层的硅晶片,正准备进行氧化步骤,图(b)只显示被氧化晶片的上表层。
有了P型和N型半导体的理论知识,还可以玩点复杂的,对二氧化硅表面进行改造,改造成我们想要的图形,比如画只猫,画朵花等…
对晶圆表面进行改造的办法就是光刻!
光刻那不是要用到高端光刻机?听说这种设备很牛逼….不如先看看光刻的原理:
利用高速旋涂设备(spinner),在晶片表面旋涂一层对紫外(UV)光敏感的材料,称为光刻胶(photoresist)。将晶片从旋涂机拿下之后在80ºC 100ºC之间烘烤,以驱除光刻胶中的溶剂并硬化光刻胶,加强光刻胶与晶片的附着力。接下来使用UV光源,通过一有图案的掩模版对晶片进行曝光。然后,使用缓冲氢氟酸作酸刻蚀液来移除没有被光刻胶保护的二氧化硅表面。最后,使用化学溶剂或等离子体氧化系统剥离(stripped)光刻胶。
看看示意图:
文字说的有点复杂,直观理解有点像刻印章,先在石头上用颜料涂个模型,然后按照模型的尺寸进行雕刻,基本是这个道理。
印章有阳刻和阴刻的区别,晶圆也是这样,根据光刻胶的选取不同,也能实现阳刻和阴刻,人们选用的光刻胶称为正胶和负胶。
光刻后的硅表面暴露于外界中,此时物理学家在这个硅表面通过不同方法加入其它元素,称为离子注入。
因为注入B或者As离子以后,这些离子加入到硅家以后改变了硅家的传统,硅的电化学性能发生了改变,此时的半导体叫做非本征(extrinsic)半导体。
而由P型半导体和N型半导体接触形成的结称为p-n结!
我们在掺杂完成以后,需要想办法将这个半导体的性能引出,于是将这个半导体表面金属化,欧姆接触(ohmic contact)和连线(interconnect)在接着的金属化步骤完成,金属薄膜可以用PVD或CVD来形成。
随着金属化的完成, p‒n 结就可以工作了!
简单的半导体知识就介绍这么多吧!
一、半导体中名词“wafer”“chip”“die”中文名字和用途
①wafer——晶圆
wafer 即为图片所示的晶圆,由纯硅(Si)构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等,晶片就是基于这个wafer上生产出来的。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。
②chip——芯片
一片载有Nand Flash晶圆的wafer,wafer首先经过切割,然后测试,将完好的、稳定的、足容量的die取下,封装形成日常所见的Nand Flash芯片(chip)。芯片一般主要含义是作为一种载体使用,并且集成电路经过很多道复杂的设计工序之后所产生的一种结果。
③die——晶粒
Wafer上的一个小块,就是一个晶片晶圆体,学名die,封装后就成为一个颗粒。晶粒是组成多晶体的外形不规则的小晶体,而每个晶粒有时又有若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成。晶粒的平均直径通常在0.015~0.25mm范围内,而亚晶粒的平均直径通常为0.001mm数量级。
二、半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别
①材料来源方面的区别
以硅工艺为例,一般把整片的硅片叫做wafer,通过工艺流程后每一个单元会被划片,封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称,有时特指封装好的芯片。
②品质方面的区别
品质合格的die切割下去后,原来的晶圆就成了下图的样子,就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。这些残余的die,其实是品质不合格的晶圆。被抠走的部分,也就是黑色的部分,是合格的die,会被原厂封装制作为成品NAND颗粒,而不合格的部分,也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。
③大小方面的区别
封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称,有时特指封装好的芯片。cell也是单元,但是比die更加小 cell <die<chip。
扩展资料
一、半导体基本介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。
今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
半导体芯片的制造过程可以分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻,蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。
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