1、卓胜微:射频前端细分领域龙。坚持自主研发核心技术。已成为射频前端细分领域国产芯片的领先企业;主营业务为射频前端芯片的研究、开发与销售。主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器等射频前端芯片产品。并提供IP授权。应用于智能手机等移动智能终端。
2、闻泰科技:安世半导体。主要资产是恩智浦标准件业务。全球十大半导体公司。是华为NFC芯片供应商;公司为全球主流电子品牌客户提供智能硬件的研发设计和智能制造服务。客户包括LG、华为、小米、联想、MOTOROLA、魅族、中国移动、华硕等知名厂商。
华为已开始从 IGBT 厂商挖人,自己研发 IGBT 器件。凭借自身的技术实力,华为已经成为 UPS 电源领域的龙头企业,目前占据全球数据中心领域第一的市场份额。IGBT 作为能源变换与传输的核心器件,也是华为 UPS 电源的核心器件。目前华为所需的 IGBT 主要从英飞凌等厂商采购。受中美贸易战影响,华为为保障产品供应不受限制,开始涉足功率半导体领域。目前,在二极管、整流管、MOS 管等领域,华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作,加大对国内功率半导体产品的采购量,但在高端 IGBT 领域,由于国内目前没有厂家具有生产实力,华为只能开始自主研发。
碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向,英飞凌、ST 等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。
为了发展功率半导体,华为也开启了对第三代半导体材料的布局。根据集微网报道,华为旗下的哈勃科技投资有限公司在今年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股 10%,而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。相对于传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅的 4-5 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍,因此,碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压,耐大电流的高频大功率的器件。
安世半导体 (www.nexperia.com) 是世界一流标准产品的首选生产商;专注于逻辑、分立器件和MOSFET市场,拥有60余年半导体专业知识。公司总部设立在荷兰奈梅亨,全球共11,000名员工,拥有两座晶圆厂及三座装配与测试厂。研发及销售市场办事处遍布亚洲、欧洲及美洲,拥有两百多项专利系列。年产量超过850亿片,2016年度销售额超11亿美元。安世半导体(中国)有限公司是安世半导体最大的装配与测试工厂,位于广东省东莞市黄江镇。占地面积约为100,000平米,现有雇员4000人。前身为恩智浦半导体广东有限公司和飞利浦半导体(广东)有限公司,于2000年9月1日正式投产,主要生产高产量、少品种的小信号半导体分立器件 SOT23, SOD323 &523, MCD二极管、三极管。2010年起,日均产量逾1亿粒,年产量由2000年的约2.5亿片增长到2016年的约570亿片,成为全球最大的半导体生产中心之一。
公司产品广泛应用于汽车、工业、通信基础设施、消费和计算及便捷式设备众多市场。主要客户有华为、苹果、三星、微软、华硕、步步高、博世、大陆、德尔福、台达、海拉、联想等。
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