半导体击穿电压公式

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的最低临界电压称为击穿电压，在均匀电场中，击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度，它反映固体电介质自身的耐电强度。 不均匀电场中，击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。

LED芯片选择低电压，肯定有其道理的。这是因为LED芯片功耗较小，选择低电压即可满足其使用要求。而其使用电压与电流基本上都在安全值以内，根据“功率=电压*电流”，如功率为1瓦的芯片，假如使用1.5伏的电压，那其电流=功率/电压=1瓦/1.5伏=0.6666667安。假如你用很高电压，则其电流会更小。而这样高电压微小电流，就容易被高电压电击。同样的，如果你选择微小电压与大电流，也会有大电流击伤。所以LED芯片选择低电压与小电流就是为了避免在实际使用过程发生电击事故的好处。

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