智路资本股票代码

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智路资本是一家总部位于北京的全球化的专业股权投资机构，公司专注于半导体核心技术及其他新兴高端技术投资机会。该基金此前在2016年以28.2亿美元价格收购了荷兰恩智浦半导体（NXPSemiconductors）的标准产品部门。

北京智路资产管理有限公司成立于2017年05月05日，注册地位于北京市顺义区临空经济核心区融慧园6号楼8-50，法定代表人为张元杰。经营范围包括资产管理；投资管理；投资咨询。（1.未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2.不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3.不得发放贷款；4.不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5.不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益”；市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）北京智路资产管理有限公司对外投资32家公司。

近日，中国投资基金智路资本（WiseRoadCapital）14亿美元收购韩国芯片厂商美格纳半导体（MagnaChip，以下简称“美格纳”）再引关注。

针对此次14亿美元收购案，美格纳首席执行官金英俊（YJKim）表示，该交易符合包括股东、客户和员工在内的公司相关者的最佳利益，公司股权转让并不会影响到人力资源结构、公司设施和业务。

“智路资本是美格纳的理想合作伙伴，我们期待与他们合作，为我们公司规划下一阶段。我们仍然感谢客户的信任，感谢我们的同事坚定不移地致力于为全球客户提供行业领先的产品。”金英俊表示。

智路资本成立于2017年5月，是一家市场化管理的产业投资机构，专注于半导体核心技术及其他新兴高端技术投资机会是中关村融信产业联盟的成员之一。智路资本的投资人包括全球领先的高科技公司、大型金融机构和家族基金等，其重点投资在SMART 领域，分别包括半导体产业链、移动技术、汽车电子、智能制造、物联网。近年来，它投资西门子旗下高端核心元器件制造企业HubaControl，全资收购全球第七大集成电路封测企业（UTAC），收购全球排名前四的半导体载具供应商ePAK等。

拓展资料：

一、北京智路资产管理有限公司

北京智路资产管理有限公司成立于2017年05月05日，注册地位于北京市顺义区临空经济核心区融慧园6号楼8-50，法定代表人为张元杰。经营范围包括资产管理；投资管理；投资咨询。（“1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益”；市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）北京智路资产管理有限公司对外投资50家公司。

二、智路资本的 “SMART” 投资布局

1、智路资本是中关村融信金融信息化产业联盟旗下的一家全球化私募股权基金管理公司，是一家全球化的专业股权投资机构，公司专注于半导体核心技术及其他新兴高端技术投资机会，曾多次参与或主导多个海外项目投资，包括安世半导体、瓴盛科技、华勤通信、睿感传感器等。

2、多年来，智路资本持续在 SMART 领域重点布局，“SMART” 即 Semiconductor Value Chain(半导体价值链)、Mobile(移动技术)、Automotive Electronics(汽车电子)、Robotics and Smart Manufacturing(机器人与智能制造)、IoT(物联网)。融信产业联盟主席李滨先生曾指出：SMART 领域由于其基础支撑作用，未来在整个国民经济产业升级中有举足轻重的影响，未来也有巨大的发展空间。此次智路资本收购美格纳是其在半导体产业链上的重要布局。其能顺利完成这笔收购得益于在半导体领域的多年积累以及国际化背景。

3、智路资本擅长的是与金融机构和产业资本合作完成大的海外并购。智路资本参与的很多项目最终都获得了不错的回报，而且也完成了优质半导体企业在国内的落地，推动了中国半导体产业的发展。

现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

美系：IR ST 仙童 安森美 TI  PI 英飞凌；

日系：东芝 瑞萨 新电元；

韩系：KEC AUK 美格纳 森名浩 威士顿 信安 KIA；

台系:APEC CET ；

国产：吉林华微 士兰微 华润华晶  东光微 深爱半导体。

扩展资料

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。

MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。

这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

参考资料：mos管.百度百科

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