不同厚度，不同掺杂类型的相同半导体材料的光吸收系数相同吗?

不同。

不同厚度、不同掺杂类型、不同密度、不同表面状况等的半导体材料，光吸收系数都不相同。

顺便说一句，因为光吸收系数与材料的介电常数虚部直接有关，所以不同厚度、不同掺杂浓度和不同密度的材料，其介电常数也将不相同。

不同。

不同厚度、不同掺杂类型、不同密度、不同表面状况等的半导体材料，光吸收系数都不相同。

顺便说一句，因为光吸收系数与材料的介电常数虚部直接有关，所以不同厚度、不同掺杂浓度和不同密度的材料，其介电常数也将不相同。

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

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