smt贴片焊接厂家

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2、沈阳华博科技有限公司。沈阳华博科技有限公司注册地址位于沈阳市浑南新区世纪路22号，经营范围包括计算机软硬件、电子产品、机电自动化系统、电路板贴片、电子产品测试、组装、加工、销售。

3、成都骁京电子科技有限公司。成都骁京电子科技有限公司注册地址位于成都市新都区工业东区永达路969号，经营范围包括电子产品的开发生产、smt贴片焊接加工。

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成立线索

仙童半导体创立于1957年，这段史实必须从两条线索讲起。

1955年，成就了"本世纪最伟大发明"的"电晶体之父"的肖克利(W.Shockley)博士，离开贝尔实验室返回故乡圣克拉拉，创建"肖克利半导体实验室"。这一喜讯，正中特曼教授为矽谷网罗天下英才之下怀: 有了肖克利这棵"梧桐树" ，何愁引不到成群的"凤凰"来?电子电脑界焦急地关注著肖克利的行踪。 据说，300年前当牛顿宣布准备在他的故乡建一所工厂时，全世界的物理学界也是如此心态。不久，因仰慕"电晶体之父"的大名，求职信像雪片般飞到肖克利办公桌上。第二年，八位年轻的科学家从美国东部陆续到达矽谷，加盟肖克利实验室。他们是:罗伯特·诺伊斯(N. Noyce)、戈登·摩尔(Gordon Moore)、布兰克(J.Blank)、克莱尔(E.Kliner)、赫尔尼(J.Hoerni)、拉斯特(J.Last)、罗伯茨(S.Roberts)和格里尼克(V.Grinich)。他们的年龄都在30岁以下，风华正茂，学有所成，处在创造能力的巅峰。他们之中，有获得过双博士学位者，有来自大公司的工程师，有著名大学的研究员和教授，这是当年美国西部从未有过的英才百家乐大集合。

29岁的诺依斯是八人之中的长者，是"投奔"肖克利最坚定的一位。当他飞抵旧金山后所做的第一件事，就是倾囊为自己购下一所住所，决定永久性定居，根本就没有考虑到工作环境、条件和待遇。其他七位青年，来矽谷的经历与诺依斯大抵相似。可惜，肖克利是天才的科学家，却缺乏经营能力他雄心勃勃，但对管理一窍不通。特曼曾评论说:"肖克利在才华横溢的年轻人眼里是非常有吸引力的人物，但他们又很难跟他共事。"一年之中，实验室没有研制出任何象样的产品。

由来

八位青年瞒着肖克利开始计画出走。在诺依斯带领下，他们向肖克利递交了辞职书。肖克利怒不可遏地骂他们是"八叛逆"(The Traitorous Eight)。青年人面面相觑，但还是义无反顾离开了他们的"伯乐"。不过，后来就连肖克利本人也改口把他们称为"八个天才的叛逆"。在矽谷许多著作中，"八叛逆"的照片与惠普的车库照片，具有同样的历史价值。

公司发展

"八叛逆"找到了一家地处美国纽约的摄影器材公司来支持他们创业，这家公司名称为Fairchild，音译"费尔柴尔德"，但通常意译为"仙童"。仙童摄影器材公司的前身是谢尔曼·费尔柴尔德(S. Fairchild)1920年创办的航空摄影公司。费尔柴尔德不仅是企业家，也是发明家。他的发明主要在航空领域，包括密封舱飞机、摺叠机翼等等。由于产品非常畅销，他在1936年将公司一分为二，其中，生产照相机和电子设备的就是仙童摄影器材公司。

当"八叛逆"向他寻求合作的时候，已经60多岁的费尔柴尔德先生仅仅提供了3600美元的种子基金， 要求他们开发和生产商业半导体器件， 并享有两年的购买特权。于是，"八叛逆"创办的企业被正式命名为仙童半导体公司，"仙童"之首自然是诺依斯。

1957年10月，仙童半导体公司仍然在矽谷瞭望山查尔斯顿路租下一间小屋，距离肖克利实验室和距离当初惠普公司的汽车库差不多远。"仙童"们商议要制造一种双扩散基型电晶体，以便用矽来取代传统的锗材料，这是他们在肖克利实验室尚未完成却又不受肖克利重视的项目。 费尔柴尔德摄影器材公司答应提供财力，总额为150万美元。诺依斯给伙伴们分了工，由赫尔尼和摩尔负责研究新的扩散工艺，而他自己则与拉斯特一起专攻平面照相技术。

1958年1月， IBM公司给了他们第一张订单，订购100个矽电晶体，用于该公司电脑的存储器。 到1958年底，"八叛逆"的小小公司已经拥有50万销售额和100名员工，依靠技术创新优势，一举成为矽谷成长最快的公司。

仙童半导体公司在诺依斯精心运筹下，业务迅速地发展，同时，一整套制造电晶体的平面处理技术也日趋成熟。天才科学家赫尔尼是众"仙童"中的佼佼者，他像变魔术一般把矽表面的氧化层挤压到最大限度。仙童公司制造电晶体的方法也与众不同，他们首先把具有半导体性质的杂质扩散到高纯度矽片上，然后在掩模上绘好电晶体结构，用照相制版的方法缩小，将结构显影在矽片表面氧化层，再用光刻法去掉不需要的部分。

扩散、掩模、照相、光刻……，整个过程叫做平面处理技术，它标志著矽电晶体批量生产的一大飞跃，也仿佛为"仙童"们打开了一扇奇妙的大门，使他们看到了一个无底的深渊:用这种方法既然能做一个电晶体，为什么不能做它几十个、几百个，乃至成千上万呢?1959年1月23日，诺依斯在日记里详细地记录了这一闪光的构想。

1959年2月，德克萨斯仪器公司(TI)工程师基尔比(J.kilby)申请第一个积体电路发明专利的讯息传来，诺依斯十分震惊。他当即召集"八叛逆"商议对策。基尔比在TI公司面临的难题，比如在矽片上进行两次扩散和导线互相连线等等，正是仙童半导体公司的拿手好戏。诺依斯提出:可以用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线，这是解决元件相互连线的最好途径。仙童半导体公司开始奋起疾追。 1959年7月30日，他们也向美国专利局申请了专利。为争夺积体电路的发明权，两家公司开始旷日持久的争执。1966年，基尔比和诺依斯同时被富兰克林学会授予巴兰丁奖章，基尔比被誉为"第一块积体电路的发明家"而诺依斯被誉为"提出了适合于工业生产的积体电路理论"的人。1969年，法院最后的判决下达，也从法律上实际承认了积体电路是一项同时的发明。

1960年，仙童半导体公司取得进一步的发展和成功。由于发明积体电路使它的名声大振， 母公司费尔柴尔德摄影器材公司决定以300万美元购买其股权，"八叛逆"每人拥有了价值25万美元的股票。1964年，仙童半导体公司创始人之一摩尔博士，以三页纸的短小篇幅，发表了一个奇特的定律。摩尔天才地预言说道，积体电路上能被集成的电晶体数目，将会以每18个月翻一番的速度稳定增长，并在今后数十年内保持着这种势头。摩尔所作的这个预言，因后来积体电路的发展而得以证明，并在较长时期保持了它的有效性，被人誉为"摩尔定律"，成为新兴电子电脑产业的"第一定律"。

离开仙童

60年代的仙童半导体公司进入了它的黄金时期。 到1967年，公司营业额已接近2亿美元，在当时可以说是天文数字。据那一年进入该公司的虞有澄博士(现英特尔公司华裔副总裁)回忆说:"进入仙童公司，就等于跨进了矽谷半导体工业的大门。"然而，也就是在这一时期，仙童公司也开始孕育著危机。母公司总经理不断把利润转移到东海岸，去支持费尔柴尔德摄影器材公司的盈利水平。目睹母公司的不公平，"八叛逆"中的赫尔尼、罗伯茨和克莱尔首先负气出走，成立了阿内尔科公司。据说，赫尔尼后来创办的新公司达12家之多。随后，"八叛逆"另一成员格拉斯也带着几个人脱离仙童创办西格奈蒂克斯半导体公司。从此，纷纷涌进仙童的大批人才精英，又纷纷出走自行创业。

正如苹果公司贾伯斯形象比喻的那样:"仙童半导体公司就象个成熟了的蒲公英，你一吹它，这种创业精神的种子就随风四处飘扬了。"脱离仙童半导体创办公司者之中，较有名气的是查尔斯·斯波克(C.Sporck)和杰里·桑德斯(J. Sanders)。斯波克曾一度担任过仙童半导体公司总经理，1967年出走后，来到国民半导体公司(NSC) 担任CEO。他大刀阔斧地推行改革，把NSC从康乃狄克州迁到了矽谷， 使它从一家亏损企业快速成长为全球第6大半导体厂商。桑德斯则是仙童半导体公司销售部主任，1969年，他带着7位仙童员工创办高级微型仪器公司(AMD)，这家公司已经是仅次于英特尔公司的微处理器生产厂商，K6、K6-2等微处理器产品畅销全世界。

1968年，"八叛逆"中的最后两位诺依斯和摩尔，也带着格鲁夫(A. Grove)脱离仙童公司自立门户， 他们创办的公司就是大名鼎鼎的英特尔(Intel)。虽然告别了仙童，"八叛逆"仍然约定时间在一起聚会，最近的一次是1997年，8人之中只有6人还健在。似乎要高扬"八叛逆"的"叛逃"精神，一批又一批"仙童"夺路而出，掀起了巨大的创业热潮。对此，80年代初出版的著名畅销书《矽谷热》(Silicon Valley Fever)写到:"矽谷大约70家半导体公司的半数，是仙童公司的直接或间接后裔。在仙童公司供职是进入遍布于矽谷各地的半导体业的途径。1969年在森尼维尔举行的一次半导体工程师大会上， 400位与会者中，未曾在仙童公司工作过的还不到24人。"从这个意义上讲，说仙童半导体公司是"矽谷人才摇篮"毫不为过。

公司被卖

人才大量流失是矽谷发展的"福音"，给仙童半导体带来的却是一场灾难。从1965年到1968年， 公司销售额不断滑坡，还不足1.2亿美元，连续两年没有赢利。人们都清楚地意识到，它再也不是"淘气孩子们创造的奇迹"了。

为了找人接替诺依斯的工作， 谢尔曼·费尔柴尔德以矽谷历史上最高的待遇--3年100万美元薪金外加60万美元股票， 从摩托罗拉公司请来莱斯特·霍根博士，亡羊补牢，以显示其"求贤若渴"的姿态。霍根不是一位无能的总经理， 曾经给摩托罗拉公司带来过重大转机。在执政仙童6年期限内，他尽了最大的努力，使公司销售额增加了两倍。然而，仙童半导体公司的灵魂人物已经离去，它的崩溃不过是时间迟早问题。1974年，无力回天的霍根，把权柄交给36岁的科里根， 而他的继任者却在二三年内，让这家公司从半导体行业的第2位，迅速跌落到第6位。

70年代末，科里根终于发现，挽救仙童半导体公司的最好途径是把它卖掉。几经周折，他最终选定了一家拥有21亿美元资产的斯伦贝谢(Schlumberger)公司，尽管这是一家法国公司，而且是经营石油服务业的公司。1979年夏季，曾经是美国最优秀的企业仙童半导体公司被法国外资接管，售价3亿5千万美元，在矽谷内外造成极大的轰动。

其他信息

外资似乎也不能给日益衰败的仙童半导体注入活力，虽然斯伦贝谢招聘到一批研究人工智慧的人才，原本可以让仙童快速进入机器人生产领域，但他们没有这样做。实际上，在继续亏损后，仙童又被用原价的三分之一转卖给另一家美国公司，买主正是原仙童总经理斯波克管理的国民半导体公司(NSC)，仙童半导体品牌一度寿终正寝。1996年，国民半导体公司把原仙童公司总部迁往缅因州，并恢复了"仙童半导体"的老名字。但是，拥有员工6500人的"矽谷人才摇篮"却不得不退出了矽谷。

早在1962年，仙童半导体公司就在缅因州建立了研制和制造电晶体的生产线，在加州，在犹他州，甚至在韩国和马来西亚都有其分部，在半导体器件领域仍有较强的实力，主要研制和生产半导体存储器设备。总部迁至缅因州南波特兰后，公司领导力图重振雄风，可是，命运多舛的"仙童"，1997年3月被国民半导体公司以5.5亿的价格再次出售，原因不言而喻--国民半导体公司以同样的价格买下了全球第三大微处理器制造商Cyrix， 试图与Intel和AMD争夺PC机半导体市场。

被人买来卖去的滋味肯定不好受，仙童半导体现任CEO和总裁克尔克·庞德(K.Pond)希望对公司实施战略性的重组。庞德曾就学于阿肯色大学电子工程系，并获得宾夕法尼亚工商管理硕士(MBA) 。自1968年加入仙童半导体公司以来，先后在许多部门担任要职，1994年起就是仙童半导体的主要领导人。好在这次出资收购的是一家风险资本公司，仙童半导体公司终于具有中立的身份。庞德兴奋地说，这次转变将有利于开发仙童的内部价值，可以让我们自主发展，成为拥有多种产品供应的半导体企业。

果不其然，庞德旗下的仙童半导体连续做出了惊人之举，它也开始了企业收购:当年11月， 仙童半导体斥资1.2亿，买下了年收入7000万的Raytheon公司半导体分部1998年12月，仙童再次斥资4.55亿，跨国购并了韩国三星公司属下一个制造特殊晶片的半导体工厂。这次收购将使仙童制造的半导体产品更适合于电视、录像机和音频设备，大踏步地向消费电子制造业挺进。

作为支撑矽谷崛起的"神话"，仙童半导体公司走过了一段辉煌而曲折的历程，成功与失败都因人才而致，正所谓"成也萧何，败也萧何"。

长电 科技 是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。

通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电 科技 的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电 科技 在全球拥有23000多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾22个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。

随着市场对便携式移动数据访问设备的需求快速增长，市场对功能融合和封装复杂性的要求也在提升。同时对更高集成度，更好电气性能、更低时延，以及更短垂直互连的要求，正在迫使封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中。

长电 科技 积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔(TSV)等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。

3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。

• 封装级集成

利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括：

堆叠芯片 (SD) 封装 ，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。

层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。

封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。

3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括：

嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电 科技 的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。

包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。

WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。

在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电 科技 的硅级集成产品组合包括：

2.5D / 扩展 eWLB - 长电 科技 基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。

MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电 科技 在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电 科技 还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。

2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器

长电 科技 为以下封装选项提供晶圆级技术：

• eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列）

• eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装）

• WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）

• IPD（集成无源器件）

• ECP（包封芯片封装）

• RFID（射频识别）

当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电 科技 在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。

突破性的 FlexLineTM 制造方法

我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。

FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。

用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台

FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。

半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。

系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。

什么是系统级封装？

系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。

先进 SiP 的优势

为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案：

• 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸

• 提高了性能和功能集成度

• 设计灵活性

• 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离

• 减少系统占用的PCB面积和复杂度

• 改善电源管理，为电池提供更多空间

• 简化 SMT 组装过程

• 经济高效的“即插即用”解决方案

• 更快的上市时间 (TTM)

• 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块

应用

当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、 汽车 、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。

以下是高级 SiP 应用的一些示例：

根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。

在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。

长电 科技 提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电 科技 的丰富倒装芯片产品组合包括：

FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。

颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE

长电 科技 还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电 科技 投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。

fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。

长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务

凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电 科技 提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。

焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。

长电 科技 的多种封装方法都采用焊线互连：

铜焊线

作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电 科技 可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。

层压封装

基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电 科技 提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。

除了标准层压封装之外，长电 科技 还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。

引线框架封装

引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电 科技 提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。

存储器器件

除了增值封装组装和测试服务之外，长电 科技 还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电 科技 的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。

全方位服务封装设计

我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电 科技 的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。

2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器

MEMS and Sensors

随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和 汽车 市场的众多系统中。

传感器

传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等

微机电系统 (MEMS)

MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、 汽车 和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。

集成一站式解决方案

凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电 科技 能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电 科技 能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。

1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置

2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片

3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置

4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置

5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置

6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置

长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务

凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电 科技 提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。

全方位一站式解决方案的优势

• 缩短产品上市时间

• 提升整体流程效率

• 提高质量

• 降低成本

• 简化产品管理

长电 科技 位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。

晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。

长电 科技 在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。

长电 科技 的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。

封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长： 公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益 于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务 结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡 星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面 扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、 厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。

公司可为客户提 供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成 为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配 套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一 步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖 了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封 装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、 汽车 电子、高容量 存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方 案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。

用户资源和 高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公 司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同 时，韩国厂的 汽车 电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率 和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线 资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。

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