想知道mos是什么？

mos是半导体金属氧化物。

氧化物半导体具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体。

电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。

mos的特点

氧化物半导体材料的平衡组成因氧的压力改变而改变，氧原子浓度决定其导电的类型。由于金属和氧之间的负电性差别较大，化学键离子性成分较强，破坏这样一个离子键要比共价键容易，使它含有的点缺陷浓度较大，所以化学计量比偏离对材料的电学性质影响也大。

如化学计量比偏离缺氧时(或金属过剩时)，则此氧化物半导体材料即呈现n型，此时氧空位或间隙金属离子形成施主能级而提供电子。

属于此类半导体材料的有ZnO、CdO、TiO2、Al2O3、SnO：等。例如：ZnO化学计量比偏离缺氧时：与上相反则呈p型半导体，此时金属空位将形成能级而提供空穴，属于此类半导体材料的有：C u2O、NiO 、CoO、FeO、Cr2O3。等。

amorphous semiconductor

非晶形半导体, 无定形半导体

binary semiconductor

二元(化合物)半导体

compensated semiconductor

补偿半导体

complementary symmetry metal oxide semiconductor

互补对称金属氧化物半导体

compound semiconductor

化合物半导体

covalent semiconductor

共价半导体

defective semiconductor

不良半导体, 有缺陷半导体

degeneracy semiconductor

简并半导体

degenerate semiconductor

简并半导体

deplete semiconductor

耗尽型半导体, 贫乏型 半导体

depleting-layer semiconductor

耗尽层半导体

direct band-gap semiconductor

直接跃迁半导体

direct-gap semiconductor

直接带隙半导体

element semiconductor

单质半导体, 元素半导体

excess semiconductor

过剩半导体

fused semiconductor

熔凝半导体

gallium arsenide semiconductor

呻化镓半导体

gas sensory semiconductor

气敏半导体

indirect gap semiconductor

间接能隙半导体

inhomoge-neoussemiconductor

不均匀半导体

integratedsemiconductor

集成半导体

intermetallic semiconductor

金属间半导体

intrinsic semiconductor

本征半导体, 纯半导体, 无杂质半导体

liquid semiconductor

易变半导体

magnetic semiconductor

磁性半导体

many-valley semiconductor

(有多谷形能带的)多谷型半导体

metal-oxide semiconductor

金属氧化物半导体

mixed semiconductor

混合半导体

monoatomic semiconductor

单质半导体

non-polar semiconductor

非极性半导体

oxidation type semiconductor

氧化型半导体

oxide semiconductor

氧化物半导体

photosensitive semiconductor

光敏半导体

piezoelectric semiconductor

压电半导体

plastic semiconductor

半导体塑料

polar semiconductor

极性半导体

polymer semiconductor

聚合半导体

power semiconductor

功率半导体器件

proper semiconductor

固有半导体, 本征半导体

pure semiconductor

纯半导体, 本征半导体

reduction type semiconductor

还原型半导体

ternary semiconductor

三元化合物半导体

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