干氧氧化和湿氧氧化的特点

干氧的氧化膜结构致密、均匀性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好、但生长速率慢。湿氧的氧化膜结构疏松，表面有缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，但生长速率快。一般湿氧很少单独使用，因为它对硅表面影响较大，湿氧和光刻胶的接触也不好一般稍微对厚度要求的氧化层两个表面采用干氧，也就是干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)的过程

扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。

P-型、N-型：电子由吸附质向氧化物表面传递，金属离子还原。吸附很强，且多为不可逆性的。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

半导体

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。

可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

---