半导体激光治疗仪有没有用 ?请用过的朋友来帮帮忙啊~~~~

半导体激光治疗仪有没有用 ?请用过的朋友来帮帮忙啊~~~~,第1张

*没有不良作用

*建议看一下人民军医出版社出版的<<激光血液辐照治疗手册>>(书号ISBN 780194-806-8 ). 弱激光辐照治疗的确对改善血液流变学,改善微循环有效果,并且经过多年临床研究表明,采用630-780nm的弱激光照射没有发现对机体产生不良反应,是一种安全的物理绿色疗法.

* 建议带你爸妈的病历到正规大医院(三甲以上医院都有)激光科专家医生做进一步咨询,做一个弱激光辐照治疗配合药物治疗的方案. 市面上有很多半导体激光治疗仪,建议要到正规渠道购买国家批准生产的医疗器械,以免延误病情.

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液: (1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 (2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 (3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 (4)HPM (SC-2):HCl/H2O2/H2 O 65~85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化。

异质结就是由带隙及折射率都不同的两种半导体材料构成的PN结。同质结就是同一种半导体形成的结。双异质结是利用不同折射率的材料对光波进行限制,利用不同带隙的材料对载流子进行限制。拿P-P-N型双异质结激光器来说,注入到“结”界面处的载流子受到异质结的阻挡,形成很好的侧向限制,产生所谓的超注入现象。这就像是十字路口堵车一样,这些载流子挤在一块,导致密度显著增加,只要加很小的泵浦电压即可以实现粒子束反转。而同质结激光器则没有这种情况,它的能带图不像双异质结的那样在“结”处有褶皱,而是平坦的,载流子不会在“结”处拥堵,密度远小于双异质结在“结”处的载流子密度。这导致了泵浦时它们阈值电流密度的差异。

楼主要好好学习...


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/9149360.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-25
下一篇 2023-04-25

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存