在半导体领域的应用
碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景,被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。
第三代半导体材料即宽禁带半导体材料,又称高温半导体材料,主要包括碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度(禁带宽度大于2.2ev)、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性,未来应用前景十分广阔。
在光伏领域的应用
光伏逆变器对光伏发电作用非常重要,不仅具有直交流变换功能,还具有最大限度地发挥太阳电池性能的功能和系统故障保护功能。归纳起来有自动运行和停机功能、最大功率跟踪控制功能、防单独运行功能(并网系统用)、自动电压调整功能(并网系统用)、直流检测功能(并网系统用)、直流接地检测功能(并网系统用)等。
国内逆变器厂家对新技术和新器件的应用还是太少,以碳化硅为功率器件的逆变器,并且开始大批量应用,碳化硅内阻很少,可以把效率做很高,开关频率可以达到10K,也可以节省LC滤波器和母线电容。碳化硅材料在光伏逆变器应用上或有突破。
在航空领域的应用
碳化硅制作成碳化硅纤维,碳化硅纤维主要用作耐高温材料和增强材料,耐高温材料包括热屏蔽材料、耐高温输送带、过滤高温气体或熔融金属的滤布等。用做增强材料时,常与碳纤维或玻璃纤维合用,以增强金属(如铝)和陶瓷为主,如做成喷气式飞机的刹车片、发动机叶片、着陆齿轮箱和机身结构材料等,还可用做体育用品,其短切纤维则可用做高温炉材等。
碳化硅粗料已能大量供应,但是技术含量极高
的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。碳化硅晶片在我国研发尚属起步阶段,碳化硅晶片在国内的应用较少,碳化硅材料产业的发展缺乏下游应用企业的支撑。就人才培养和技术研发等开展密切合作加强企业间的交流,尤其要积极参加国际交流活动,提升企业发展水平关注企业品牌建设,努力打造企业的拳头产品等。
高温工作的半导体材料需要满足五个基本条件:1.外加温度忽高忽低时具备稳定性功能;
2.内部温度对物质特性表现持续稳定;
3.具备可制造性;
4.可量产;
5.具备运用的利润。
近年来,摩尔定律的发展方向似乎遇到了一些瓶颈。按照此前的预期,集成电路的晶体管数量有望每隔一段时间翻番。但现实是,随着制程的不断演进,热管理已成为了芯片突破的一个重要挑战。 好消息是,弗吉尼亚大学工程学院和西北大学的研究人员们,刚刚打造了一种基于新型聚合物的电路绝缘材料,特点是能够在较小的空间内达成更高的功率。
COF-5 介电层阻抗测量(图自:Nature Materials)
据悉,由弗吉尼亚大学机械与航空工程学系教授 Patrick E. Hopkins 和西北大学化学系教授 Will Dichtel 带领的这支多学科研究小组,正在发明一种有望随着尺寸的不断缩小而保持芯片不发高烧的新型材料。
在今日发表于《自然材料》期刊的一篇文章中,他们隆重介绍了一种将电串扰做到最小化的电绝缘材料,且其具有超低的介电常数(ultra-low-k)。
该材料能够通过控制电流以消除信号串扰,使得电子产品能够进一步突破当前的性能极限。理想情况下,它还能够将电流引起的有害热量从电路中带走。
随着芯片制程不断变小和晶体管密度的不断提升,发热造成的困扰也在成倍增长。为此,Patrick E. Hopkins 教授决定寻找一种超低介电常数的新材料。
尽管此前已经相关领域 探索 了很长一段时间,但除非通过机械工程、化学、材料科学、电气工程等多学科的集思广益,这个目标还是很难单独达成的。
SCITechDaily 指出,Patrick E. Hopkins 教授是该校多功能材料集成计划的领导者之一,并且汇聚了来自多个工程学科的研究人员,以配制出这种具有优异特性的新材料。
研究一作 Ashutosh Giri 表示,化学团队意识到了材料的热特性,接着从更多的维度去 探索 ,而机械与材料团队可以从分子工程水平上去作深入了解。
Will Dichtel 教授补充道,他们正在打造只有一个原子那么厚(简称 2D)的聚合物薄板,并通过在特定的体系结构中对其进行分层,以控制它们的性能。
通过改进生产高质量 2D 聚合物薄膜的方法,研究团队正在积极应用这种新型材料,以满足在致密芯片上让晶体管规模更加密集的小型化要求。
展望未来,这项技术有望在半导体(芯片制造)行业发挥巨大的潜力,因其不仅具有超低介电常数、又具有超高的传热性能。
感兴趣的朋友,可移步至《Nature Materials》查看全文,原标题为《Thermally conductive ultra-low -k dielectric layers based on two-dimensional covalent organic frameworks》。
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