功率半导体die尺寸

1. 本发明涉及一种半导体晶圆die尺寸的测量方法。 背景技术:

2. 目前,半导体光刻/缺陷检测过程中,需要获得准确的die的大小,用于后续的缺陷检测。

3. 现有技术一般是通过测量晶圆上临近的几个die,手工测量die的大小,这种方式有如下问题: 4.1、测量die的大小 *** 作比较复杂,需要手工测量多个die的大小

X技术

首先是突破下一代节点集成电路制造缺陷在线检测技术。不仅能打破以美国为首的技术封锁，解决“卡脖子”问题，还能提升我国制造业整体水平，在跨领域科技发展中具有重要影响和引领作用。同时带来巨大的经济效应和国际影响力，占据国际竞争的最高点。缺陷检测设备是我国半导体产业链中最薄弱的环节之一。研制集成电路高灵敏度缺陷在线检测技术和装备迫在眉睫。

其次是利用集成电路芯片对传统机床进行智能化改造，形成了数控机床的新兴产业。汽车电子化是提高汽车安全性、舒适性、经济性等性能的重要措施，引发了汽车工业的新革命。为传统产业定制的处理、控制、存储相关的集成电路，不仅将重构传统产业的发展生态，也将带动集成电路产业的发展。

再者对于短沟道器件，器件的阈值电压随着沟道长度的减小而降低，而饱和电流随着沟道长度的减小而增大。但在实际工艺中引入卤素离子注入后，器件的阈值电压并没有随着沟道长度的减小而降低，而是先升高后降低。业界称这种效应为逆效应。短通道效应。热载流子注入效应，载流子在沟道的强电场作用下加速形成热载流子，与晶格碰撞电离。

另外要知道全球7nm及以下节点的在线缺陷检测技术尚不成熟，设备差距依然巨大。谁先掌握了相应的关键技术，谁就掌握了未来的主导地位，这对我国来说既是机遇也是挑战。因此，突破下一代节点集成电路制造缺陷在线检测技术，不仅能打破以美国为首的技术封锁，解决“卡脖子”问题，还能提升我国制造业整体水平。，并对跨领域科技的发展产生重大影响。引领带动作用，同时带来巨大的经济效应和国际影响力，占据国际竞争的最高点。

半导体专利模板主要有以下几种：一是发明专利模板，二是实用新型专利模板，三是外观设计专利模板，四是计算机软件专利模板，五是半导体器件专利模板，六是生物技术专利模板，七是通信/遥感技术专利模板，八是新材料技术专利模板。

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