什么是半导体封装测试

1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装测试是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。

2、封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond

Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列 *** 作，如后固化（Post

Mold

Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片→

装片→

键合→

塑封→

去飞边→

电镀

→打印→

切筋→成型→

外观检查→

成品测试→

包装出货。

3、半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。

4、半导体封装形式：金属封装、陶瓷封装、金属+陶瓷封装、塑料封装（最主要的封装形式）

半导体测试公司惠瑞捷(Verigy)宣布其V93000测试系统推出消费性电子产品的混合信号测试解决方案，可针对各种高整合度的消费性电子产品组件，执行晶圆测试(Wafer Sort)及终程测试(Final Test)。 半导体设计公司及大量生产制造商经常得在性能要求的广度和有效又经济的测试需求之间，努力寻求平衡，尤其是在设计和生产对价格很敏感、常见于光驱(ODD)、DVD、数字电视(DTV)及机上盒(STB)等应用中的消费性电子产品内的混合信号组件时。这些组件的整合度愈来愈高，甚至内建了ePMIC (嵌入式电源管理IC)和嵌入式闪存组件。惠瑞捷的消费性电子产品的混合信号测试解决方案可透过先进的测试方法，确保高准确度和测试品质，在进行高整合度组件的晶圆测试和终程测试时，可提供高速的单一组件(Single-site)和多组件(Multi-site)测试能力。测试系统需具备更高的准确度和直流量测能力，才能满足数字信号的测试需求，以及同时测试高性能的模拟和电源管理IP核心。新的系统级封装(SiP)及多芯片封装(MCP)技术需要使用确定良好的晶粒(Known Good Die)，因此必须在进行晶圆筛检测试时，执行高性能测试。此外纳米制程产生了新型态的故障模式(Failure Mechanism)，必须加以排除才能提升良率，这对于回收晶圆厂动辄数十亿美元的投资极为重要。经济有效的晶圆层级测试日趋重要，可以尽早在生产阶段的初期，找出故障模式，进而提高良率。可插入惠瑞捷V93000测试头使用的单槽模块卡每平方公分包含的功能居业界之冠，有助于缩小测试系统的体积和降低成本。消费性电子产品的混合信号测试解决方案包含下列模块卡：MB AV8 (Multi-Band Audio-Video，新一代的模拟式多频段影音标准)模块卡──不论核心数或性能等级皆可扩充，相当经济、d性，在各种不同应用中的适用性非常高，包括专业音响；基频IQ；宽频通信；高画质及标准画质的电视、机上盒、数字电视和DVD(BluRay及HD-DVD)等。还有：Pin Scale 400──测试接脚可扩充，以满足大部分消费性IC和晶圆测试的需求，以及适用于更多种消费性IC的接口。入门版的速度为100Mbps，可升级至每支脚533+ Mbps和每支脚224 M个向量；DC Scale VI32──只需单一片模块卡，即可d性地因应多种应用(嵌入式闪存组件、嵌入式电源管理IC、提供精确的参考电压)的需求。量测信道数可由16个扩充到32个，而且每个信道都具有码型(Pattern)触发能力，可提供最快的测试速度。此外DC Scale DPS32每片模块卡内建32个量测信道，具有更多组件的测试能力，涵盖更多个功耗域(Power Domain)，且能进行快速的同步触发，以提高稳定一致性和提供最快的量测速度。

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

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