大连英特尔三期哪年完工

大连英特尔三期2015年完工。根据相关公开信息查询，英特尔大连工厂于2007年宣布建立，2010年正式投产65纳米逻辑芯片产品，是英特尔在亚洲的第一家晶圆制造厂，2015年宣布转产为非易失性存储器（3DNAND）制造，2018年成立研发（TD）团队。目前英特尔大连是集存储技术研发与制造一体化、全球领先的半导体公司之一，专注于非易失性存储半导体研发与制造，拥有来自11个国家的近五千名员工，其中硕士与博士人才占比超过40%。

简介：英特尔半导体（大连）有限公司是英特尔公司在2010年投产的价值25亿美元的工厂，是英特尔在中国的第一家圆晶制造厂，该厂现在是英特尔在包括美国、爱尔兰和以色列等国的制造网络的一部分。2015年10月21日，英特尔表示，公司计划让位于大连的半导体制造工厂转产存储芯片。

法定代表人：Tiffany D.Silva

成立时间：2006-06-06

注册资本：222000万美元

工商注册号：210200400005760

企业类型：有限责任公司(台港澳法人独资)

公司地址：辽宁省大连经济技术开发区淮河东路

20万左右。英特尔大连是集存储技术研发与制造一体化、全球领先的半导体公司之一，该公司博士待遇为20万左右，能力越强，工资待遇越高，是全球唯一的NAND存储芯片集技术研发和规模化量产为一体的基地。

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