MOCVD技术具有下列优点:
(l)适用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体
(2)非常适合于生长各种异质结构材料
(3)可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡
(4)生长易于控制
(5)可以生长纯度很高的材料
(6)外延层大面积均匀性良好
(7)可以进行大规模生产。
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MOCVD技术具有下列优点:
(l)适用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体
(2)非常适合于生长各种异质结构材料
(3)可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡
(4)生长易于控制
(5)可以生长纯度很高的材料
(6)外延层大面积均匀性良好
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