经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要
光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从
硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶剂中,从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点(主要由碳和氢等元素构成的化合物),通过使用一些无机溶剂(如硫酸和双氧水等),将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳,这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过,由于无机熔液会腐蚀AL,因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例,硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应,生成的气态的CO,CO2和H2O可以由真空系统抽走,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好,但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题,因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。70℃至100℃。
半导体硫酸去胶温度在70℃至100℃,如果溶液不是新配溶液,需向溶液中加入150ml双氧水溶液。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。这个问题比较笼统,半导体生产包括很多道工序,目前大体分为3大块:单晶硅片(衬底)制作;wafer加工和封装测试。这个其中还没有包括光刻掩膜版制作。我是在半导体公司前道(wafer fab)和后道(assembly &Test)都工作过,对光刻掩膜版和衬底制作的工艺也知道一点点,所以发表一下愚见。
1. 单晶硅片(衬底)制作工程:无毒,但是在把硅柱切割成硅片的时候,会有很多硅尘出现,如果长期在切割部门工作,比如说工作10年以上,很容易得一种叫做硅肺的病。
2.Wafer FAB:大量存在一些有毒和易爆的物质,如果磷,砷,氯气(有毒)和甲烷,氢气(易爆),还有以下腐蚀性很强的物质,比如HF,浓硫酸等等。但是目前的fab对于这些物品的控制是十分严格的,不会想gendanzhu说的那样恐怖。这就是,那些能看到的危险根本就不是危险,人总是想尽一切办法去控制它。倒是我们生病的吃穿住行的东西,可能在慢慢影响我们的健康,而我们却不知道。FAB里最大的问题有两个:一个是对环境的污染比较严重,所以处理废水废气比较麻烦。希望中国的fab都能做到绿色环保;还有一个是辐射,大型的离子加速产生强大的辐射,对于做工艺的人员来说问题不大,有很厚的钢板挡在机器前面,主要是设备工程师或者技术员,一定要注意辐射对健康的影响。
3.封装测试厂:封测主要是与机械有关系,所以有毒的东西比较少,主要是plating工艺会对环境污染比较严重,现在我所在的公司都是把这道工序外包给其他公司来做的。
总之,我在半导体公司工作,感觉没有外边传言的那么恐怖。
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