沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（Trench MOSFET）的工作原理是什么？

工作原理是：当栅极和源极间加正向电压时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过芯片内部。其结构特点为栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，具有更小的单元的尺寸和导通电阻。

貌似是电路电子的专业英语,我不学这个专业的,也只能在网上搜到这些了,你看看吧~

N-channel ：N沟道

TrenchMOS :深槽MOS （半导体转换器）

FET(field effect transistor) :场效应晶体管

备注：

MOSFET

（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

金属氧化半导体场效应管

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