衬底制备中氮氧化硅的作用

氮化硅更好。

氮化硅膜与氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业。

氮化硅是一种无机物，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。

如果想了解这些知识首先要知道半导体制造中最重要的最基础的是PN结，晶体管、MOS管都是以此为基础制造出来的。而p作为掺杂剂，用于形成n型半导体。二氧化硅主要是做掩蔽膜。氮化硅本身就是半导体，既可以做掩蔽膜又可以做异质结，作为第三代半导体，它有很大的发展潜力

passivation层的作用是保护M2，防止其发生氧化。

passivation层材料是二氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，及磷硅玻璃。

在半导体制作工艺中，为保护集成电路免于遭到外界环境的影响，例如水气，外来杂质，及机械性的伤害，通常会在集成电路的上方沉积保护层。

passivation层基本信息

金属钝化理论认为，钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成，故称氧化膜。

在半导体器件的制造上，氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为mos晶体管的棚级氧化膜、pn接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有：热氧化法及气相成长法。

一些还原性阴离子，对氧化膜破坏作用较大。为了得到厚的致密的氧化膜，常采用化学或电化学处理。

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