低温对半导体器件的影响

1、首先常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，温度的改变对半导体的导电能力、极限电压、极限电流以及开关特性等都有很大的影响。

2、其次一个芯片往往包含了数百万甚至上千万个晶体管以及其他元器件，每一点小小的偏差的累加可能造成半导体外部特性的巨大影响。

3、最后如果温度过低，往往会造成芯片在额定工作电压下无法打开其内部的半导体开关，导致其不能正常工作。

交换电流和极限扩散电流是半导体器件中两个不同的概念。

交换电流（也称为正向漏电流）指在正向电压下，电子从N型半导体区域向P型半导体区域流动的电流。当半导体器件处于正向偏置状态时，电流将流向PN结的P型区域。交换电流是PN结正向偏置状态下的主要电流组成部分。

极限扩散电流指在PN结反向偏置状态下，由于热激发和载流子的漂移扩散，少量载流子通过PN结的电流。当半导体器件处于反向偏置状态时，PN结中的电场将阻碍电子或空穴的流动，因此只有少量载流子能够穿过PN结，形成极限扩散电流。这个电流通常非常小，因此在设计半导体器件时往往需要注意控制它的大小。

因此，交换电流和极限扩散电流是不同类型的电流，它们在半导体器件的正向偏置和反向偏置状态下分别发生。

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