华为哈勃入股半导体材料研发商瀚天天成

新京报贝壳 财经 讯 企查查APP显示，近日瀚天天成电子 科技 （厦门）有限公司发生工商变更，新增股东哈勃 科技 投资有限公司（华为投资控股有限公司全资持股）。

企查查显示，该公司成立于2011年，法定代表人为JIANHUI ZHAO（赵建辉），实缴资本约1.83亿元人民币，经营范围包含半导体材料和器材的研发、生产、销售及相关技术咨询与服务；经营各类商品和技术的进出口等。

校对 危卓

华为已开始从 IGBT 厂商挖人，自己研发 IGBT 器件。凭借自身的技术实力，华为已经成为 UPS 电源领域的龙头企业，目前占据全球数据中心领域第一的市场份额。IGBT 作为能源变换与传输的核心器件，也是华为 UPS 电源的核心器件。

目前华为所需的 IGBT 主要从英飞凌等厂商采购。受中美贸易战影响，华为为保障产品供应不受限制，开始涉足功率半导体领域。目前，在二极管、整流管、MOS 管等领域，华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作，加大对国内功率半导体产品的采购量，但在高端 IGBT 领域，由于国内目前没有厂家具有生产实力，华为只能开始自主研发。

碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，英飞凌、ST 等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。

为了发展功率半导体，华为也开启了对第三代半导体材料的布局。根据集微网报道，华为旗下的哈勃科技投资有限公司在今年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股 10%，而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；击穿电压为硅的 8 倍；电子饱和漂移速率为硅的 2 倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。

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