半导体DRAM是什么？

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

dram存储器的中文含义是动态随机存取存储器。

（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的资料会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。

工作原理：

DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵，左图所示是一个4×4的矩阵。基本的 *** 作机制分为读（Read)和写（Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到 *** 作电压的一半，然后再把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于 *** 作电压的一半。

反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于 *** 作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到 *** 作电压使电容上存储著 *** 作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。