半导体中有哪几种光跃迁过程，影响其跃迁速率有哪些因素

且相干，这部分放出的能量就表现为荧光。

波尔用氢原子轨道理论成功结识了电子跃迁。该理论假设氢原子电子在某些特定的轨道上运行，每个轨道对应着一个能级，且能级是分离的。在外界光子的激发下，电子可以从低能级跃迁到高能级，也叫做受激辐射，其中入射光子的能量必须要大于或者等于两轨道能级绝对值之差。同时合适的光子入射下，原子电子也可以从高能级跃迁到低能级，同时放出一个光子，该光子能量与入射光子能量相同电子跃迁 电子跃迁就是指原子的外层电子从低能轨道转移到高能轨道，或者从高能轨道转移到低能轨道，在没有外界激励的情况下电子处在平衡状态下，再有外界激励下，电子平衡被打破，如果电子吸收光子能量则会跳跃到离原子核更远的轨道上（光子能量大于或等于两轨道能及之差），但这样的电子不稳定，容易放出能量而返回原来的轨道。除此之外，原子内部电子也可以自发的从高能级跃迁到低能级。转移过程中会吸收或者放出一个光子，该光子能量为两个轨道能量之差的绝对值，或者从低能级跃迁到高能级，不过这种过程处于静态平衡之中。电子跃迁分为自发跃迁和受激跃迁，这是激光产生的基本原理

半导体硅是半导体跃迁材料。材料本身是不会发光，这是能量守衡决定的。材料吸收外来的能量源(电能/光能均可)，使价带的电子激发到导带上，然后通过辐射跃迁，发出光子。间接带隙的半导体材料在跃迁时会产生声子，严重影响发光。

半导体的辐射跃迁有哪几种各自的定义与特点是什么1,自发辐射跃迁,此跃迁随机发生,随遇而安,跃迁从高能级向低能级,跃迁到的最终能级不一定,发出光波长,波列长度不一,相干性差,是常见最最普通的跃迁方式.2,吸收跃迁,此跃迁从低能级到高能级,吸收其他诸如光电力热的能量,使得电子像高能级跃迁,但是跃迁到的最终能级取决于吸收的能量的大小.3,手机辐射跃迁,此跃迁也是在受到能量激励后,并不吸收能量,电子从高能级向低能级跃迁,跃迁的最终能级,取决于受到激励的能量,放出一个光子,与原光子同频同振幅同相位,相干性特别好,是激光的产生激励!

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