什么叫压印？

压印和叠印是一个意思，即一个色块叠印在另一个色块上。不过印刷时特别要注意黑色文字在彩色图象上的叠印，不要将黑色文字底下的图案镂空，不然印刷套印不准时黑色文字会露出白边。

纳米压印技术凭借其高效率、高分辨率以及低成本等优势，吸引了许多科研人员与工程技术人员的关注，MIr的一篇评论甚至称之为有可能改变世界的十大技术之一。纳米压印技术按模板特性主要可分为软压印、热压印及分步式模压曝光三种工艺。

压印是将板料放在上、下模之间，在压力作用下使其材料厚度发生变化，并将挤压外的材料，充塞在有起伏细纹的模具形腔凸、凹处。

而在工件表面得到形成起伏鼓凸及字样或花纹的一种成形方法。如硬币，纪念章等，都是用压的方法成形的。

压印工作，大多数是在封闭的模腔内进行的，以免金属受压后被挤出模外，而对于较大的压印工件，可利用敞开的模腔压制。

工件在压印和压花时，为了使工件质量好，精度高，在坟印前，应首先将坯料进行退火处理，并且还要经过酸洗或喷丸等工序，要事先清洗表面不能有污物。压印成形后的精度，在厚度方向上一般可以达到±0.1mm，最高可达0.05mm左右。

压印的坯料尺寸，可以用压印前后重量相等的原则确定。并且，在印压后需要修边时，应增加必要的修边余量 。

扩展资料：

纳米压印：

纳米压印的发展最初主要是为了解决集成电路线宽突破几十纳米的瓶颈问题，随着压印技术的应用越来越广泛，这种纳米加工工艺也逐步进入其他研究领域。

纳米压印技术是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一，这种成本低、效率高的纳米结构制作方法已逐渐应用于生物医学、半导体加工和数据存储等领域，因为传统热压印技术和紫外压印工艺存在模板成本高、图形转移不稳定、压印效率低等缺点。

通过对最新压印工艺成果的筛选、分类和总结，给出了纳米压印技术在压印工艺、图形赋形技术和纳米压印技术应用三个方面的最新进展。

压印工艺方面介绍了大面积滚轴压印工艺、紫外压印一光刻联合工艺、快速热压印工艺、气相沉积成型工艺、沉积缩印工艺以及湿法刻蚀缩印工艺；

图形赋形方面介绍了蘸水笔、聚合物笔阵列、喷墨笔、聚合物纳米球以及有规嵌段共聚物5种图形赋形方法；

纳米压印技术应用方面介绍了纳米压印技术在聚合物纳米颗粒、金属纳米套筒、纳米电极阵列以及扫描探针制备中的应用。

这些研究成果极大地促进了纳米压印这一新型纳米加工工艺的发展，使纳米压印技术更加成熟化和多样化，更加具备了产业化应用的价值

（1）

热敏性

半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

（2）

光电特性

很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。

另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。

（3）

搀杂特性

纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

★最大整流电流IF：指二极管长期工作，允许通过的最大直流电流。

★最高反向工作电压UR：指二极管正常使用允许加的最高反向电压。

稳压管：稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。 ★稳定电压UZ：UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。

★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。

★额定功耗PZM：PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时，会因结温升高而损坏。

★动态电阻rZ：rZ为稳压管工作在稳压区时，稳压管电压的变化量与电流变化量之比，即 。rZ愈小，电流变化时UZ的变化愈小，稳压性能愈好。

★温度系数 ： 表示温度每变化1°C稳压值的变化量，即 = 。

限流电阻：稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。

---