栅氧化层电容Cox怎么算

栅氧化层电容Cox这样算：Cox=εr*ε0*S/toxε0=8.85*10^(-12),真空介电常数εr=3.9,二氧化硅的相对介电常数；S是单位面积，一般取平方微米；tox是唯一和工艺相关的，自己从model中找吧，这样算出的数值应该和仿真比较接近。

这个我不是很懂啦，但是看到问题想说下自己想法，具体的Cox意义和推导是半导体器件物理中的内容。

在一般的模拟集成电路设计中，在设计电路时有指定的工艺模型，里头Cox是一个给定的参数，不同的工艺里Cox的大小都会有区别。所以设计电路的孩纸对这样的参数不用过于深究，但要知道是啥（这算是学习指引啦，哈哈）

我试着解释一下吧，栅极和衬底之间之间有一层氧化层（相当于介质），G和B（衬底）之间会有电容，电容的大小和栅极面积有关，栅极面积 = W*L，所以Cox = Cgb/WL。

其实CMOS的物理模型里有好多电容，什么Cgd，Cgs，Csb...（把g、d、s、b排列组合一遍），Cgb是里头比较大的，然后又和W、L密切相关，所以比较重要

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