“pn结深”是什么意思？

PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多，因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um 这个N型薄层的厚度就叫做结深！

第一种形式：

VD=kT/q*ln(nno*ppo/n²i) ①

VD 内建电位差

T 绝对温度值

q 电子电荷量绝对值

nno n型半导体电子浓度

ppo p型半导体空穴浓度

ni 本征半导体电子浓度

第二种形式：

VD=kT/q*ln(ND*NA/n²i) ②

ND 施主杂质浓度

NA 受主杂质浓度

第三种形式：

VD=kT/q*ln(ppo/pno) ③

VD=kT/q*ln(nno/npo) ④

pno n型半导体空穴浓度

npo p型半导体电子浓度

从上述计算公式可以看出与内建电位差相关的因素。

锗型半导体的内建电位差约为0.2~0.3伏；硅型半导体的内建电位差约为0.6~0.8伏。