什么是电中性原理?

电中性原理：当原子失去的电子会与别的粒子结合，产生相应的负离子，单独的离子是不存在的。对于一个物体，它失去的电子同样会附着在其他物体上（可以接地），故从整体上说电中性必须维持。正、负电荷的空间分离将产生电场，在两个物体间形成电位梯度。设真空中有半径为1厘米的圆球，当它失去了10×10^-10摩尔电子时，可根据静电学算出其电势（对地）为0.95×107伏，即约10兆伏，这是一般场合所不易实现的。该物体所损失的电子（即电中性的破坏程度）却是用任何化学方法所无法检测的。

半导体因掺杂不同使得导电原理不同，半导体的导电是通过掺杂实现的。

如Si 是目前集成电路中常用的材料，最外层电子是4个。

1、通过掺杂B（最外层3个电子），可以形成受主能级，让价带产生大量空穴，从而实现导电，这是第一种：P型半导体。根据电中性原理（Nd ≈ n ，其中Nd为受主能级的电离杂质浓度）。

2、通过掺杂P（最外层4个电子），可以形成施主能级，让导带产生大量电子，从而实现导电，这是第二种：N型半导体。根据电中性原理（Na ≈ p ，其中Na为施主能级的电离杂质浓度）。

3、不掺杂，既为本征半导体，自由移动的电子与空穴成对出现ni^2=n * p ； n = p，所以n、p的量均较小。所以本征半导体不导电或者说电导率很低。

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