半导体玻璃的半导体玻璃的应用前景

太阳能电池的用途可大了！例如，人造卫星安装上太阳能电池后，可以长期为卫星提供能源。现在已研制成功适合于小型轿车和飞机用的太阳能电池。安装了这种新能源的汽车和飞机不再需要其他任何燃料，无任何环境污染，可以长期使用。人造卫星、宇宙飞船更是离不开太阳能电池。将来，每幢楼房都可以安装一个小型太阳能“电站”：在楼顶铺一层半导体玻璃薄膜材料，有阳光照射时就会产生电力，把多余的电力存到蓄电池中，到了夜间或阴雨天，再由蓄电池向每个家庭供电。这样，我们做饭、取暖、洗衣、看电视，就不再需要消耗别的能源了。据测算，按现在一般水平计算，每10米2的太阳能电池每天可提供约5度电能，这些电能足够一个家庭使用一天。

值得指出的是，目前太阳能电池的造价还偏高，效率也还偏低，要大规模使用仍有困难。但是，随着科学技术的进步，许多家庭和工厂用上太阳能电池的日子已经为期不远了。

半导体玻璃的应用已十分广泛，非晶态α—Si:H太阳能电池是人们最为关注的非晶材料的应用之一。该项研究开始于20世纪70年代，到80年代α—Si:H太阳能电池的转换效率已达到10%~20%。α—Si:H太阳能电池从1984年起已不再局限于计算器、手表、干电池充电器等小型电器供电，而是开始向农田灌溉、住宅用电等电力装置发展。因而，α—Si:H太阳能电池已成为发展最快、市场潜力最大的非晶半导体器件之一。

光电复印机的心脏部件是一个圆柱形金属鼓，其上用真空蒸发法沉积的一层非晶态硒是一种半导体薄膜，它是一种光导体，通过曝光，其电子电导率大大加强。静电复印技术就是利用了非晶态硒的这种奇特的光电特性。

除此之外，半导体玻璃还广泛地应用于其他光敏器件、发光器件、场效应器件、热敏器件、电子开关与光盘等方面。

玻璃基板半导体应用前景

产业研究报告网发布的《2022-2028年中国TFT-LCD玻璃基板市场深度研究与发展趋势研究报告》共十二章。首先介绍了TFT-LCD玻璃基板行业市场发展环境、TFT-LCD玻璃基板整体运行态势等，接着分析了TFT-LCD玻璃基板行业市场运行的现状，然后介绍了TFT-LCD玻璃基板市场竞争格局。随后，报告对TFT-LCD玻璃基板做了重点企业经营状况分析，最后分析了TFT-LCD玻璃基板行业发展趋势与投资预测。您若想对TFT-LCD玻璃基板产业有个系统的了解或者想投资TFT-LCD玻璃基板行业，本报告是您不可或缺的重要工具。

本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。

报告目录：

第一章 TFT-LCD玻璃基板概述

第一节 TFT-LCD玻璃基板定义

第二节 TFT-LCD玻璃基板发展历程

第二章 2020年中国TFT-LCD玻璃基板行业发展环境分析

第一节 TFT-LCD玻璃基板行业经济环境分析

第二节 TFT-LCD玻璃基板行业政策环境分析

第三节 TFT-LCD玻璃基板行业技术环境分析

第三章 世界TFT-LCD玻璃基板行业市场运行形势分析

第一节 2016-2020年全球TFT-LCD玻璃基板行业发展概况

第二节 世界TFT-LCD玻璃基板行业发展走势

一、全球TFT-LCD玻璃基板行业市场分布情况

二、全球TFT-LCD玻璃基板行业发展趋势分析

第四章 中国TFT-LCD玻璃基板行业供给与需求情况分析

第一节 中国TFT-LCD玻璃基板行业总体规模

第二节 中国TFT-LCD玻璃基板行业供给概况

第三节 中国TFT-LCD玻璃基板行业需求概况

第五章 中国TFT-LCD玻璃基板所属行业规模与效益分析

第一节 2016-2020年中国TFT-LCD玻璃基板制造所属行业盈利能力分析

第二节 2016-2020年中国TFT-LCD玻璃基板制造所属行业发展能力

第三节 2016-2020年TFT-LCD玻璃基板制造所属行业偿债能力分析

第四节 2016-2020年TFT-LCD玻璃基板制造企业数量分析

第六章 2016-2020年TFT-LCD玻璃基板上、下游行业发展现状与趋势

第一节 TFT-LCD玻璃基板上游行业发展分析

一、TFT-LCD玻璃基板上游行业发展现状

二、TFT-LCD玻璃基板上游行业发展趋势预测

第二节 TFT-LCD玻璃基板下游行业发展分析

一、TFT-LCD玻璃基板下游行业发展现状

二、TFT-LCD玻璃基板下游行业发展趋势预测

第七章 2016-2020年TFT-LCD玻璃基板行业竞争格局分析

第一节 TFT-LCD玻璃基板行业集中度分析

一、TFT-LCD玻璃基板市场集中度分析

二、TFT-LCD玻璃基板企业集中度分析

三、TFT-LCD玻璃基板区域集中度分析

第二节 TFT-LCD玻璃基板行业竞争格局分析

一、行业内竞争

二、供应商议价能力

三、客户议价能力

四、进入威胁

五、替代威胁

第八章 中国TFT-LCD玻璃基板行业重点企业竞争力分析

第一节 深圳清溢光电股份有限公司

一、企业概述

二、企业产品结构

三、企业经营情况

四、企业发展战略

第二节 深圳市路维光电股份有限公司

一、企业概述

二、企业产品结构

三、企业经营情况

四、企业发展战略

第三节 台湾光罩股份有限公司

一、企业概述

二、企业产品结构

三、企业经营情况

四、企业发展战略

第四节 珠海越亚半导体股份有限公司

一、企业概述

二、企业产品结构

三、企业经营情况

四、企业发展战略

第五节 大日本印刷

一、企业概述

二、企业产品结构

三、企业经营情况

四、企业发展战略

第九章 TFT-LCD玻璃基板行业企业经营策略研究分析

第一节 TFT-LCD玻璃基板企业多样化经营策略分析

第二节 大型TFT-LCD玻璃基板企业集团未来发展策略分析

第三节 对中小TFT-LCD玻璃基板企业生产经营的建议

第十章 中国TFT-LCD玻璃基板产业市场竞争策略建议

第一节 TFT-LCD玻璃基板行业发展战略研究

一、战略综合规划

二、技术开发战略

三、业务组合战略

四、区域战略规划

五、营销品牌战略

六、竞争战略规划

第二节 中国TFT-LCD玻璃基板产业竞争战略建议

一、TFT-LCD玻璃基板竞争战略选择建议

二、TFT-LCD玻璃基板产业升级策略建议

三、TFT-LCD玻璃基板产业转移策略建议

四、TFT-LCD玻璃基板价值链定位建议

第十一章 中国TFT-LCD玻璃基板行业未来发展预测及投资前景分析

第一节 未来TFT-LCD玻璃基板行业发展趋势分析

一、未来TFT-LCD玻璃基板行业发展分析

二、未来TFT-LCD玻璃基板行业技术开发方向

第二节 2022-2028年TFT-LCD玻璃基板行业运行状况预测

一、2022-2028年TFT-LCD玻璃基板行业产量预测

二、2022-2028年TFT-LCD玻璃基板行业需求预测

第十二章 中国TFT-LCD玻璃基板行业投资的建议及观点

第一节 TFT-LCD玻璃基板行业投资机遇

一、中国当前经济形势对TFT-LCD玻璃基板行业的影响

二、TFT-LCD玻璃基板企业在危机中的竞争优势

三、战略联盟的实施

第二节 TFT-LCD玻璃基板行业投资风险（）

第三节 TFT-LCD玻璃基板行业应对策略

半导体材料（semiconductor material） 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电阻率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化铟、锑化铟、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。3.无定形半导体材料 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力，主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器件。4.有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用 。 特性和参数 半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。 种类 常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。 制备 不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。 绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80％的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。 在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

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