大功率半导体
器件一般是指
电压等级在1200V以上,
电流在300A以上的开关器件,包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等,900V以上的mosfet也可称为大功率器件,但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础,经过不同的工艺生产条件生产出来。按照其功能分类,可为全控型器件和半控型器件,全控型如IGBT、IGCT、ETO等,就是通过门极可以控制器件的开通与关断,半控型器件的代表就是晶闸管,只能控制开通,而不能控制关断。是指能承受高电压和大电流的半导体元件,可以理解为电流通过半导体本身产生的
电压降
与通过它电流的乘积,实际是
耗散功率
,额定耗散功率越大,说明它的承载的电压或电流越大。
评论列表(0条)