半导体iginv公式

半导体IGINV公式：

I = I_s * e^(V_d/V_t) - I_s * e^(-V_d/V_t)

其中，I_s为半导体的漏电流，V_d为半导体的偏压，V_t为半导体的阈值电压。

因为单相桥式整流电路交流输入电压的峰值为有效值的根号2倍，即1.414乘以交流电压的有效值，为了保证二极管不被反向工作电压击穿，实际选择的反向工作电压要有余量。是的，你说的是对的！两个二极管相串联，串联分压，每个二极管是可以承担二分之根号二倍的电源电压的。比如当二极管的耐压不够时，可以通过多个二极管相串联使用。在三相桥式整流电路中交流经过桥式整流电路到负载回路时，是通过两个二极管串联的，如果选择每只二极管的反向电压值稍微大于桥式整流电路输入的交流电压峰值的一半也是可以的，但是这样选择的二极管反向工作电压值没有太大余量，当二极管发热时它的耐压值下降，很容易产生击穿。由于现代半导体工业进步，制作高耐压值的二极管与低耐压值的二极管在价格上区别不大，故一般在选择二极管时，反向工作电压值都留有很大的电压余量。

当n区相对P区有负电压，且当负电压低于-0.6V(即绝对值大于0.6V)时，就会产生一个P区到N区的大电流；当有正电压时，在小于击穿电压之前电流可以忽略不计。二极管的基本性质可以通过考虑耗尽层的电压和电场来理解。正向偏压即在N区加一个相对P区的负电压。这样会导致PN结内建电势的减小，其变化趋势如图3e所示。PN结内建电势的减小会导致电场以及耗尽区宽度的减小，如图d、c和b所示。二极管内部电压的减小和耗尽区宽度的减小开始允许电流导通二极管。

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