是不是意味着晶圆越大越好呢?不是的。晶圆越大,制造难度越大,加工难度越大,成本就越高。对于14nm以下的制程,目前最佳的尺寸就是12寸,成本最低。所以12英寸晶圆对高端芯片的意义重大,掌握12英寸晶圆制造加工技术的企业理所当然地就成为了高端芯片的最大受益者。
晶圆是生产集成电路所用的载体。
晶圆(英语:Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,是生产集成电路(integrated circuit,IC)所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。
在半导体行业,尤其是集成电路领域,晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片,而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构,使之成为有特定电性功能的IC产品。
晶圆制造工艺:
表面清洗:晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
初次氧化:由热氧化法生成SiO2缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。
热CVD:此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦产生反应,及气体可到达表面而附着薄膜)等,故用途极广。
以上内容参考:百度百科-晶圆
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。
目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸,而用于功率器件的硅晶圆以8英寸为主,这意味着碳化硅单晶片所产芯片数量较少、碳化硅芯片制造成本较高。
基本介绍:
在现已开发的宽禁带半导体中,碳化硅(SiC)半导体材料是研究最为成熟的一种。SiC半导体材料由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率以及更小的体积等特点,在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。
碳化硅的应用范围十分广泛:由于具有宽禁带的特点,它可以用来制作蓝色发光二极管或几乎不受太阳光影响的紫外线探测器;由于可以耐受的电压或电场八倍于硅或砷化镓,特别适用于制造高压大功率器件如高压二极管、功率三极管以及大功率微波器件。
由于具有高饱和电子迁移速度,可制成各种高频器件(射频及微波);碳化硅是热的良导体, 导热特性优于任何其它半导体材料,这使得碳化硅器件可在高温下正常工作。
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