值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元
全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。
第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg>2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 :
1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗
2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化
3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。
比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。
观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。
但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
“目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。
那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等
电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等
微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
具体来看当前主要应用领域的发展情况:
1.新能源汽车
新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
2.光伏
光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
3.轨道交通
未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
4.智能电网
目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求, 我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。
当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议 「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」 。
本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。
2月22日，由武汉经济技术开区招商局发起并主办的“乘风芯计划”闭门研讨会暨“中国车谷”助力东风汽车车规级芯片领域布局洽商会于上海顺利举办，会议由上海盖世汽车协助承办，并得到了武汉市经信局、市招商办、市人民政府驻沪办及武汉经开区发改局、经信局、军山新城等部门的大力支持。会议邀请了东风汽车技术中心、东风资管、长江产业基金、中汽研软测（天津）、华中科技大学相关代表及10余家国内车规芯片企业嘉宾共同参与，并与盖世汽车举办的 “2023第二届汽车芯片产业大会”同期举办，旨在为武汉经开区汽车芯片产业链发展拓展高质量朋友圈，同时也为打造“车谷芯”生态、依托招商引资助力东风汽车公司布局国产车规级芯片替代战略计划提供有力支撑。
在全球汽车芯片供应紧缺的背景下，武汉经开区大力布局车规级芯片产业链。本届研讨会作为支持武汉经开区汽车产业补链强链的有效招商举措，将进一步拉动武汉市汽车产业链供应链企业转型升级。
本次闭门研讨会议由武汉经开区招商局副局长陈田全程主持，会议伊始，由武汉市人民政府驻上海办事处党组成员、副主任田雁进行致辞，田雁为与会嘉宾介绍到，武汉作为全国六大汽车产业集群发展城市之一，汽车产业规模居中部第一，汽车产业连续13年成为第一大支柱产业。2022年全市汽车产量139万辆，汽车及零部件产业总产值3497亿元，同比增长4.6%。作为武汉汽车工业的主阵地，去年面对疫情、零件断供、市场形势超预期三大冲击，武汉经开区迎难而上，一年招引零部件项目投资超500亿元，打造自主可控汽车产业链进入了快车道。
田雁表示，武汉经开区正锚定中国车谷到世界车谷的中心目标，步入借东风二次创业的关键发力期，聚焦新能源与智能网联汽车，围绕助力东风、服务东风思路，着力完善新能源与智能网联汽车产业链布局，打造自主可控、安全稳定的新能源与智能网联汽车产业链，推动东风汽车产业增量转型，构建大而强、大而优的汽车产业新格局。
田雁 | 武汉市人民政府驻上海办事处党组成员、副主任
谌斌 | 武汉市经信局电子信息产业处处长
武汉市经信局电子信息产业处处长谌斌以《共谋合作，携手开启车规级芯片产业新征程》为题进行演讲，并就武汉市发展集成电路产业的路径与规划，以及去年发布的车规级芯片实施方案做出解读。
谌斌表示，集成电路是光电子信息的先导产业，目前武汉已形成光通信、集成电路、新型显示、电子终端、5G网络、软件和信息服务等六大特色产业集群。武汉于2020年发布了集成电路产业扶持政策，相关政策执行至今已超过两年。此外，武汉的产业服务平台健全，人才优势显著，为武汉市的集成电路产业发展提供了有力支撑。
去年，武汉提出“2025年实现车规级芯片设计、制造、封测产业链基本形成，累计30款汽车芯片产品实现上车使用和批量装车应用”的目标。谌斌进一步表示，下一步武汉市将以建设千亿级集成电路产业集群为奋斗目标，推动重大项目建设，招引一批产业链关键环节企业以补齐短板，并再次对车规级芯片企业家到武汉经开区考察发展表示欢迎。
陈田 | 武汉经开区招商局副局长
武汉经开区招商局副局长陈田向与会嘉宾做了武汉经开区相关推介：作为国内汽车产业集聚度最高的区域之一，武汉经开区素有“中国车谷”之誉。自1991年起，武汉经开区围绕神龙汽车整车项目动工新建，被国家发改委批为首批国家经济技术开发区，发展至今已有30余年。目前，共计9家整车企业、13家整车工厂以及500余家知名汽车零部件企业在经开区集聚和投资，预计至2025年武汉经开区区内汽车产能预计将突破260万辆，陈田特别指出，截至目前，武汉经开区已经开放660公里的5G全覆盖、无人自动驾驶示范应用的车路协同全域道路。此外，武汉经开区着力打造，并即将投入运营的武汉智能网联汽车测试场占地1312亩，是全球唯一融合T5级别的专业汽车测试场。
“在武汉经开区，我们不仅拥有东风汽车公司总部、东风本田、东风乘用车、东风猛士及岚图汽车等东风系资源集聚，同时也肩负着助力东风迎接市场挑战、战略布局自主创新的使命；我们不仅拥有区内较为完备的汽车产业链，湖北芯擎科技发布国内首款车规级7纳米智能座舱芯片，湖北亿咖通形成四大系列芯片矩阵，智新半导体生产的IGBT功率芯片模块实现量产、装车；我们也看到三年新冠疫情重创了全球汽车芯片产业链，突发的国际地缘政治危机，又给这条产业链的恢复增加了新的不确定性。”缺芯、断供、价格飞涨、不断加高的技术壁垒，持续威胁着我国汽车芯片和汽车产业的正常发展。
展望未来，陈田表示，在车规芯片半导体领域，武汉经开区希望在我市整体产业引导布局的支持下，围绕东风公司国产化自主芯片替代的战略计划需求，逐渐打造属于车谷自己的新生态、新集聚和“芯”产业链，期许尽早能够创造属于武汉经开区的“车谷芯”。
刘卫红 | 黑芝麻智能联合创始人兼总裁
随着进入智能汽车时代，数据、算法、芯片、软件定义汽车等议题的重要性被提到台前的同时，生态结构也从传统的垂直产业链转变至强调开放、整合的网状生态结构。在此背景下，芯片架构也迎来变革，国内芯片企业亟待构建起产品的核心竞争力。
黑芝麻智能联合创始人兼总裁刘卫红表示，打造芯片产品的核心竞争力，首先要拥有核心IP，而黑芝麻核心芯片均基于其车规级图像处理ISP、车规级深度神经网络加速NPU两大核心IP打造。此外，黑芝麻的自研全套客量产感知算法方案、自研中间件及工具链、数据闭环等能力也为其打造核心竞争力提供了有力支撑，助力黑芝麻的高性能芯片全面赋能中国汽车新时代。
仇雨菁 | 芯驰科技CEO
如今，中国汽车迎来了黄金发展期。据统计，2025年全球汽车核心芯片市场规模预计将接近5000亿元。随着汽车电子电气架构从分布式架构向域控制器及中央计算平台架构演进，汽车中的半导体数量及性能要求也正与日俱增。对此，芯驰科技推出“四芯合一”产品布局，旨在提供符合整车未来电子电气架构的芯片产品。
芯驰科技CEO仇雨菁坦言，车规级芯片是一种投入周期非常长、门槛非常高的产品。“但量产是检验车规级芯片的唯一标准。”她指出，只有在量产中才能有效检验芯片的一致性、可靠性。当前，芯驰科技的芯片出货量已超过百万片，并与超过90%的中国车企达成合作，拥有超过260家客户。
马恺声 | 北极雄芯创始人
随着制程工艺不断推进，单位数量晶体管的成本下降程度急剧降低，追求经济效能的摩尔定律难以为继。而Chiplet技术能将复杂的SoC芯片拆解为具有单独功能的小芯片单元，通过die-to-die将模块芯片与底层基础芯片封装组合在一起，可以降低成本，加快产品上市周期，并大大改善可靠性。北极雄芯三年来专注于Chiplet领域，目前已基本纵向打通从架构到封装的全套Chiplet相关技术，形成了从点到面的核心技术积累。
展望未来，北极雄芯创始人马恺声提出愿景，“在CPU、GPU、FPGA、AISC四种计算范式之外，未来能否创造出第五种计算范式——混合粒度芯粒？”面对设计面积和良率的痛点，北极雄芯可通过自动化工具及Chiplet成本模型，自动搜索给定工艺下的最佳成本和能效芯粒规模。
刘赓 | 无锡英迪芯微电子科技股份公司业务发展总监
未来的汽车电子架构趋势和域控制器整合起大量ECU，但车窗、电机微马达、氛围灯等末端执行器将对小容量MCU提出更多需求。无锡英迪芯微电子科技股份公司业务发展总监刘赓指出，汽车电子架构的升级也对芯片提出了OTA升级、电磁兼容、小封装等方面的要求。
目前，英迪芯微独特的“五合一”数模混合芯片已在业内形成一定壁垒。刘赓坦言，实现“五合一”需要强大的团队协作和流程管理能力。“对于数模混合芯片，如何整合团队、提高团队效率，从而最大化发挥能效，仍需一定复合能力。”
张凡武 | 东风汽车技术中心智能软件中心总工程师
东风汽车技术中心智能软件中心总工程师张凡武就汽车芯片行业现状、东风缺芯与保供、东风用芯分析、东风中长期布局、东风芯片国产化举措等方面分享了东风汽车关于车规级芯片领域的战略布局及合作方向。
当前，单车约有25~50个控制器，共含约500~1000颗芯片，而其中的国产芯片整体占比不足5%。针对高端MCU以及功率器件、电源芯片等专用芯片，张凡武强调，“越是难以替代的芯片越是应该采用国产替代，MCU和专用芯片是我们国产芯片替代的重中之重。”受2021年-2022年的缺芯影响，目前东风正全方位推动芯片国产化替代工作，以保障供应链长期稳定和安全。
此前，东风提出“以控制器自主可控为基础，全面开展国产芯片替代”的布局目标，规划将于2025年实现东风芯片国产化替代率达到高于工信部要求的最低限制比例。张凡武认为，“态度比行动更重要”，东风愿意与国产芯片厂商一道共同克服国产芯片应用国产中的问题，助力中国汽车迈向高质量发展的新台阶。
在主题演讲结束后的圆桌交流环节中，武汉经开区招商局副局长陈田与东风技术中心智软中心张凡武总工共同主持，围绕痛点、疑点与难点引出交流话题，武汉市人民政府驻上海办事处、经信局、招商办及武汉经开区参会部门代表连同华中科技大学童教授、东风资管、湖北长江产业基金等嘉宾纷纷与来自东风汽车、中兴通讯、二进制、广东鸿翼芯、黑芝麻智能、北极雄芯、中汽研等公司的企业家展开热烈讨论，积极为围绕为助力东风公司发展而打造武汉车谷承载车规级芯片的产业落地路径建言献策。同时，东风公司技术中心与政府各部门一起明确表达了邀约与欢迎“芯”朋友圈来武汉、来经开，企业家们也积极做出了回应。
车规级芯片产业的发展离不开国内外上下游产业链企业间的紧密合作和共同发展，本届研讨会将吸引更多优质车规级芯片企业到武汉投资兴业，让车规级芯片产业在“中国车谷”发展壮大。武汉经开区管委会各相关部门也将基于此次上海之行的收获与总结，继续在市政府、市经信局、市招商办及相关企业、高校、研发机构的共同支持下，持续推进“乘风芯计划”朝着本地化、实体化迈进，主动营造车规芯片产业生态导入所必须的专项政策支持、芯片设计企业集聚园区设立、以东风为链主的产业创新联盟、招商助力、资本先行的多位一体的新格局。
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