请问半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件是进入热击击穿？

这个说法是不准确。首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同；热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏；而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏。 半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件由于热而导致烧毁（而不是热击穿，此时未必发生热击穿）。另外雪崩击穿造成器件失效，失效的原因不是只有一个热的原因，还有的因为由于雪崩击穿而造成器件其他电特性参数变差。

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

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