n型半导体和p型半导体的区别是什么？

n型半导体和p型半导体的区别如下：

1、形成原因不同

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。

在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

2、导电特性不同

P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。

N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

3、定义不同

N型半导体，也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

相关介绍：

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。

半导体有一些特殊的性质。例如，可以利用半导体的电阻率与温度的关系来制作热敏元件(热敏电阻)，用于自动控制；利用其光敏特性，可制成光敏元件用于自动控制，如光电池、光电池、光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的特性。如果在纯半导体物质中适当掺入少量杂质，其电导率将增加数百万倍。这一特性可用于制造各种半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

当半导体的一面做成P型区，另一面做成N型区时，在结附近形成一层具有特殊性质的薄层，一般称为PN结。图的上半部分分为P型半导体和N型半导体界面两侧的载流子扩散(用黑色箭头表示)。中间部分是PN结的形成过程，表示载流子的扩散效应大于漂移效应(蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场方向)。下部是PN结的形成。代表扩散和漂移之间的动态平衡。

1、 二极管

A、一般整流用

B、高速整流用：

①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）

C、定压二极管（齐纳二极管）

D、高频二极管

①变容二极管

②PIN二极管

③穿透二极管

④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管

2、 晶体管

①双极晶体管

②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)

3、 晶闸管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）

二、光电半导体

1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）

2、激光半导体

3、受光器件

①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）

②光电晶体管（Photo Transistor）

③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）

④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）

4、光耦(photo Relay)

①光继电器（photo Relay)

②光断路器（photo Interrupter）

5、光通讯用器件

三、逻辑IC

1、通用逻辑IC

2、微处理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)

②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)

3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①栅陈列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:标准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）

6、系统LSI（System LSI）

四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）

1、电源用IC

2、运算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA转换器（AD DA Converter）

4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)

五、存储器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)

3、快闪式存储器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)